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By U–I measurements on Au-n-Ge deformed diodes the most effective energy level for generation-recombination of the dislocation band is found to lie at 0.18 eV from the top of the valence band in Ge. Therefore from the knowledge of the position of the neutral level in the dislocation band, a band width of about 0.18 eV is obtained, in agreement with a tight binding calculation. It is also confirmed that in the deformed Ge the inverse of the effective lifetime of the minority carriers is proportional to the edge dislocation density by a factor σp0 that is found to be 3.7 × 10−4 cm2 s−1. Durch U–I-Messungen an deformierten n-leitenden Au-Ge-Dioden wird das effektivste Generations-Rekombinations-Energieniveau des Versetzungsbandes bei 0,18 eV vom oberen Rand des Valenzbandes in Ge gefunden. Mit der Kenntnis der Lage des neutralen Niveaus im Versetzungsband wird in Ubereinstimmung mit „tight-binding”-Rechnungen eine Bandbreite von etwa 0,18 eV erhalten. Es wird daruberhinaus bestatigt, das im deformierten Ge die inverse effektive Lebensdauer der Minoritatsladungstrager proportional zur Dichte der Stufenversetzung ist, mit einem Faktor σp0, der zu 3,7 × 10−4 cm2 s−1 bestimmt wird.

Surface barrier diodes on previously deformed n-silicon slices of different resistivities have been produced to investigate the behaviour of dislocations and their effect on the diode characteristics. It is shown that the introduction of dislocations decreases the barrier capacitance; the generation current, on the other hand, is enhanced caused by a reduction of the carrier effective lifetime, which results proportional to a constant σ0 = 1.75 × 10−2 cm2 s−1, the density of edge type dislocations introduced by the deformation. It results also that the dislocations have the most effective energy level for the generation-recombination process at 0.52 eV above the top of the valence band. Oberflachenbarrierendioden wurden aus vorher deformierten, n-leitenden Siliziumscheiben von verschiedenem spezifischem Widerstand hergestellt, um das Verhalten von Versetzungen und ihrer Wirkung auf die Kennlinien der Dioden zu untersuchen. Es wird gezeigt, das die Einfuhrung der Versetzungen die Kapazitanz des Ubergangs verringert. Andererseits wird der Generationsstrom wegen einer Verminderung der effektiven Lebensdauer der Trager vermehrt und ist proportional einer Konstante σ0 = 1,75 × 10−2 cm2 s−1, der Dichte der Stufenversetzungen, die durch die Verformungen erzeugt wurden. Daraus ergibt sich auserdem, das die Versetzungen das wirksamste energetische Niveau fur den Generations–Rekombinations-Prozes 0,52 eV uber der Valenzbandkante bilden.

The effect of edge dislocations on the capacitance of surface barrier diodes made of n-germanium is investigated as a function of temperature. It is shown that the edge dislocations decrease the diode capacitance and that, at large reverse bias, from this decrease the occupation ratio f(T) of the dislocation levels can be obtained. Similar results are also obtained from Hall effect measurements made on the same samples previously measured by the capacitance method, thus indicating that the latter method is a valid alternative to the former in the study of the electrical properties of dislocations in semiconductors. The results are also in quantitative agreement with those already found by other authors and lend support to the model of a partially filled dislocation band in germanium, with a neutral level 0.09 eV above the top of the valence band. Es wird der Einflus von Stufenversetzungen auf die Kapazitat von Oberflachenbarrieren-Dioden aus n-leitendem Germanium in Abhangigkeit von der Temperatur untersucht. Es wird gezeigt, das die Stufenversetzungen die Dioden-Kapazitat verringern und das bei groser Sperrspannung aus diesem Abfall das Besetzungsverhaltnis f(T) der Versetzungsniveaus erhalten werden kann. Ahnliche Ergebnisse werden auch aus Hall-Effektsmessungen an den gleichen Proben erhalten, die vorher mit der Kapazitats-Methode gemessen wurden, was darauf hinweist, das die letztere Methode eine gultige Alternative zur ersteren bei der Untersuchung der elektrischen Eigenschaften von Versetzungen in Halbleitern ist. Die Ergebnisse befinden sich auch in quantitativer Ubereinstimmung mit den von anderen Autoren fruher gefundenen und bestatigen das Modell eines teilweise gefullten Versetzungsbandes in Germanium, mit einem neutralen Niveau bei 0,09 eV oberhalb der Valenzbandkante.

The electrical properties of deformed n- and p-type germanium can be related to the presence of dislocations and of point defects exhausting the primary doping elements by association reactions. The distribution of the associates should be inhomogeneous, with higher concentrations around the dislocations. The energy levels of the main associates should lie at 0.10 eV above the valence band. Die durch plastische Verformung bedingten elektrischen Eigenschaften von n- und plietenden Germanium-Einkristallen sind durch Versetzungen sowie durch Punktdefekte zu erklaren, die mit den Atomen der Dotierungssubstanz Assoziate bilden. Diese Assoziate besitzen eine inhomogene Verteilung, mit hoheren Dichten um die Versetzungen. Die Niveaus der wichtigsten Assoziate liegen 0,10 eV uber der Valenzbandkante.