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Empleando un esquema de cálculo tight-binding que usa una base de orbitales sp3s*d5, se estudian propiedades de la estructura electrónica de un grupo de materiales semiconductores III-V los cuales son de notable interés para la tecnología de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos. En específico, se analiza la influencia sobre estas propiedades de una tensión aplicada según la dirección cristalográfica [111], haciendo uso de una formulación basada en la teoría de la elasticidad para establecer las posiciones relativas de los iones vecinos más próximos. Especial atención se presta a la inclusión del efecto de deformación interna de la red cristalina. Para cada material de los estudiados presentamos las dependencias de las brechas energéticas asociadas a los puntos Γ, X y L de la zona de Brillouin como funciones de la tensión uniaxial en AlAs, GaAs, InAs y GaP. Asimismo, reportamos expresiones de ajuste para los valores de las masas efectivas de conducción en esos cuatro materiales. La comparación de la variación de la brecha de energía en X para el GaP, calculada con nuestro modelo, y recientes resultados experimentales para la transición indirecta entre la banda de huecos pesados y la banda X de conducción arroja una muy buena concordancia.

Empleando un esquema de cálculo tight-binding que usa una base de orbitales sp3s*d5, se estudian propiedades de la estructura electrónica de un grupo de materiales semiconductores III-V los cuales son de interés para la tecnología de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos. En específico, se analiza la influencia sobre estas propiedades de una tensión aplicada según la dirección cristalográfica [111], haciendo uso de una formulación presentada en la primera parte del trabajo [Mora-Ramos 2009]. Especial atención se presta a la inclusión del efecto de deformación interna de la red cristalina. Para cada material de los estudiados presentamos las dependencias de las brechas energéticas asociadas a los puntos Γ, X y L de la zona de Brillouin como funciones de la tensión uniaxial en AlP, InP, AlSb, GaSb, InSb. Asimismo, reportamos expresiones de ajuste para los valores de las principales brechas energéticas en esos cinco materiales. Se detecta una fuerte dependencia no lineal de estas magnitudes, así como de las masas efectivas de conducción, con la tensión.