We have considered the influence of electron irradiation on the optical and electrical properties ofIn 2 O 3 /Ti bi-layered films prepared with RF and DC magnetron sputtering. The In 2 O 3 /Ti thin films irradiated at 600eV shows the lowest resistivity of 6.9×10 −4 Ωcm. The optical transmittance in a visible wave length region alsoinfluenced with the electron irradiation energy. The film that electron irradiated at 600 eV shows 82.9% of opticaltransmittance in this study. By comparison of figure of merit, it is concluded that the opto-electrical performance ofIn 2 O 3 /Ti bi-layered film is improved with electron irradiation.(Received October 13, 2015; Revised October 19, 2015; Accepted October 29, 2015)Key words : In 2 O 3 , Ti, Magentron sputtering, Electron irradiation, Figure of Merit 1. 서론 산화인듐(In 2 O 3 ) 박막은 높은 가시광 투과도와 낮은 전기비저항을 동시에 갖는 투명전극재(Trans-parent Conducting Oxide; TCO)로서 박막형 태양전지(Solar cell) 및 다양한 디스플레이 소자의 전극재로 활용되고 있다[1]. 최근에는 유연성을 갖는 표시소자에 다양한 TCO 박막을 적용하기 위하여 유리기판 대신 Poly Carbonate(PC), Poly EthyleneTerephthalate(PET) 그리고 Poly Ether Sulfon(PES)기판을 이용한 투명전극 증착에 대한 연구가 보고되고 있다[2-4]. 그러나 PC, PET, PES 등의 고분자기판을 사용한 TCO 증착은 열처리 온도에 제약을받기 때문에 박막의 전기적, 광학적 물성을 개선시키는 방법으로 TCO/metal[2], TCO/Oxide[5], TCO/Metal/TCO[6] 등의 적층형태의 증착기술이 연구되고있으며, 전자빔(Electron Irradiation) 표면조사를 이용한 표면개질 기술 또한 제시되고 있다[7].본 연구에서는 박막의 증착율과 화학적 조성비를용이하게 조절 할 수 있는 Direct current(DC) 및Radio Frequency(RF) 마그네트론 스퍼터를 이용하여 유리기판에 10 nm의 Ti 완충막을 증착하고 상부에 90 nm의 In