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Nous proposons un modele cinematique permettant de decrire de facon analytique les profils de raie de diffraction des rayons X de couches minces epitaxiees. Compare aux modeles analytiques existant, celui-ci permet de prendre en compte plusieurs types de defauts simultanement, notamment la rugosite du substrat, celle de la surface de la couche, et les fluctuations aleatoires (cumulatives ou non) de distance interreticulaire. Cette description peut s'appliquer aux cas de couches minces nanometriques (de quelques dizaines de nanometres a quelques centaines de nanometres) ainsi qu'aux couches ultra-minces (quelques Angstroms). Les profils de raie sont affectes differemment selon la nature des defauts presents, ce qui permet d'envisager l'application de ce modele pour la determination quantitative des proprietes microstructurales des couches de facon simple et routiniere.

L'utilisation d'un montage associant un monochromateur a quatre reflexions et un detecteur courbe a localisation nous a permis de realiser, avec des durees d'acquisition raisonnables, des mesures completes de la distribution bidimensionnelle de l'intensite diffractee par des couches epitaxiees. Nous avons evalue de facon quantitative les caracteristiques microstructurales de couches d'oxyde elaborees par voie chimique en modelisant, a partir des parametres physiques caracterisant les couches etudiees, differentes projections ou sections de ces cartographies du reseau reciproque.