Search

Your search keyword '"Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales ( CEMES )"' showing total 12 results
Start Over Author "Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales ( CEMES )" Journal applied physics letters
12 results on '"Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales ( CEMES )"'

1. Development of an ultrafast electron source based on a cold-field emission gun for ultrafast coherent TEM

Author

Arnaud Arbouet, Florent Houdellier, Giuseppe Mario Caruso, Pierre Abeilhou, Nano-Optique et Nanomatériaux pour l'optique (CEMES-NeO), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Interférométrie, In situ et Instrumentation pour la Microscopie Electronique (CEMES-I3EM), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)

Subjects
Materials science, Physics and Astronomy (miscellaneous), Physics::Optics, 02 engineering and technology, 7. Clean energy, 01 natural sciences, law.invention, Optics, law, 0103 physical sciences, Scanning transmission electron microscopy, Physics::Atomic and Molecular Clusters, Energy filtered transmission electron microscopy, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], 010306 general physics, Field emission gun, [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], business.industry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Laser, Field electron emission, Transmission electron microscopy, Femtosecond, microscopy, 0210 nano-technology, business, Ultrashort pulse
Abstract

WOS:000405661700041; International audience; We report on the design of a femtosecond laser-driven electron source for ultrafast coherent transmission electron microscopy. The proposed architecture allows introducing an ultrafast laser beam inside the cold field emission source of a commercial TEM, aligning and focusing the laser spot on the apex of the nanoemitter. The modifications of the gun assembly do not deteriorate the performances of the electron source in conventional DC mode and allow easy switching between the conventional and ultrafast laser-driven emission modes. We describe here this ultrafast electron source and discuss its properties. Published by AIP Publishing.

Published
2017
Full Text
View/download PDF

2. Highly strained AlAs-type interfaces in InAs/AlSb heterostructures

Author

Maxime Vallet, Alexei N. Baranov, Bénédicte Warot-Fonrose, Christophe Gatel, César Magén, Yann Claveau, Roland Teissier, Anne Ponchet, Nicolas Combe, Julien Nicolaï, Surfaces, Interfaces et Nano-Objets (CEMES-SINanO), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Interférométrie, In situ et Instrumentation pour la Microscopie Electronique (CEMES-I3EM), Universidad de Zaragossa, Institut d’Electronique et des Systèmes (IES), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge (NANOMIR), Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Montpellier (UM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-11-BS10-0017,NAIADE,Nanocaractérisation et modélisation d'Antimoniures d'éléments III : Interfaces et Analyse des Déformations d'Epitaxie(2011), European Project: 312483,EC:FP7:INFRA,FP7-INFRASTRUCTURES-2012-1,ESTEEM 2(2012), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), and Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], 010302 applied physics, Materials science, Physics and Astronomy (miscellaneous), Condensed matter physics, Heterojunction, 02 engineering and technology, 021001 nanoscience & nanotechnology, Epitaxy, 01 natural sciences, Bond length, Condensed Matter::Materials Science, Crystallography, Transmission electron microscopy, 0103 physical sciences, Scanning transmission electron microscopy, Microscopy, 0210 nano-technology, Order of magnitude, Molecular beam epitaxy
Abstract

International audience; Spontaneously formed Al-As type interfaces of the InAs/AlSb system grown by molecular beam epitaxy for quantum cascade lasers were investigated by atomic resolution scanning transmission electron microscopy. Experimental strain profiles were compared to those coming from a model structure. High negative out-of-plane strains with the same order of magnitude as perfect Al-As interfaces were observed. The effects of the geometrical phase analysis used for strain determination were evidenced and discussed in the case of abrupt and huge variations of both atomic composition and bond length as observed in these interfaces. Intensity profiles performed on the same images confirmed that changes of chemical composition are the source of high strain fields at interfaces. The results show that spontaneously assembled interfaces are not perfect but extend over 2 or 3 monolayers.

Published
2016
Full Text
View/download PDF

3. Sb surfactant mediated growth of InAs/AlAs0.56Sb0.44 strained quantum well for intersubband absorption at 1.55 μm

Author

Hervé Folliot, Yu Zhao, Mathieu Perrin, Bénédicte Warot-Fonrose, Nicolas Bertru, Christophe Gatel, Anne Ponchet, Julien Nicolai, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Surfaces, Interfaces et Nano-Objets (CEMES-SINanO), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), ANR, ANR-11-BS10-0017,NAIADE,Nanocaractérisation et modélisation d'Antimoniures d'éléments III : Interfaces et Analyse des Déformations d'Epitaxie(2011), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse)

Subjects
010302 applied physics, Photoluminescence, Materials science, Physics and Astronomy (miscellaneous), Condensed matter physics, business.industry, 02 engineering and technology, Substrate (electronics), 021001 nanoscience & nanotechnology, 01 natural sciences, Lattice constant, Transmission electron microscopy, 0103 physical sciences, X-ray crystallography, Optoelectronics, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], 0210 nano-technology, business, High-resolution transmission electron microscopy, Layer (electronics), Quantum well
Abstract

International audience; Surfactant mediated growth of strained InAs/AlAs0.56 Sb 0.44 quantum wells on InP (001) substrate is investigated. X ray diffraction and transmission electron microscopy analysis reveal that the supply of antimony on InAs surface delays the 2D to 3D growth transition and allows the growth of thick InAs/AlAsSb quantum wells. Quantum well as thick as 7 ML, without defect was achieved by Sb surfactant mediated growth. Further high resolution transmission electron microscopy measurement and geometric phase analysis show that InAs/AlAsSb interfaces are not abrupt. At InAs on AlAsSb interface, the formation of a layer presenting lattice parameter lower than InP leads to a tensile stress. From energetic consideration, the formation of As rich AlAsSb layer at interface is deduced. At AlAsSb on InAs interface, a compressive layer is formed. The impact on optical properties and the chemical composition of this layer are discussed from microscopic analysis and photoluminescence experiments.

Published
2015
Full Text
View/download PDF

4. Epitaxial ferromagnetic oxide thin films on silicon with atomically sharp interfaces

Author

Florencio Sánchez, Bénédicte Warot-Fonrose, Romain Bachelet, Gang Niu, Vassil Skumryev, P. de Coux, L. Lupina, Josep Fontcuberta, Thomas Schroeder, Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB), Consejo Superior de Investigaciones Científicas [Madrid] (CSIC), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures (INL - H&N), Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Université de Lyon-Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), Université de Lyon-École Supérieure de Chimie Physique Électronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats (ICREA), Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), Innovations for High Performance Microelectronics (IHP), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Université de Lyon-École supérieure de Chimie Physique Electronique de Lyon (CPE)-Institut National des Sciences Appliquées de Lyon (INSA Lyon), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-École Centrale de Lyon (ECL), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Lyon-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
Materials science, Physics and Astronomy (miscellaneous), Condensed matter physics, Silicon, Oxide, chemistry.chemical_element, Epitaxy, Amorphous solid, Crystal, Magnetization, chemistry.chemical_compound, chemistry, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Thin film, Saturation (magnetic)
Abstract

International audience; A bottleneck in the integration of functional oxides with silicon, either directly grown or using a buffer, is the usual formation of an amorphous interfacial layer. Here, we demonstrate that ferromagnetic CoFe2O4 films can be grown epitaxially on Si(111) using a Y2O3 buffer layer, and remarkably the Y2O3/Si(111) interface is stable and remains atomically sharp. CoFe2O4 films present high crystal quality and high saturation magnetization.

Published
2014
Full Text
View/download PDF

5. Leakage current in atomic-size surface interconnects

Author

Mikael Kepenekian, Roberto Robles, Christian Joachim, Nicolás Lorente, Institut Catala de Nanociencia i Nanotecnologia (ICN2), Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), Consejo Superior de Investigaciones Científicas [Madrid] (CSIC), Groupe NanoSciences (CEMES-GNS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Agency for science, technology and research [Singapore] (A*STAR), European Commission, Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)

Subjects
Materials science, Physics and Astronomy (miscellaneous), Silicon, Nanowire, chemistry.chemical_element, Nanotechnology, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, Condensed Matter::Materials Science, Condensed Matter::Superconductivity, 0103 physical sciences, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, 010306 general physics, Leakage (electronics), Dopant, business.industry, Doping, 021001 nanoscience & nanotechnology, Atomic radius, chemistry, Optoelectronics, Condensed Matter::Strongly Correlated Electrons, Density functional theory, 0210 nano-technology, business
Abstract

The current lost into a doped silicon substrate from a surface-supported nanowire is evaluated using transport calculations based on density functional theory. The calculations are performed for an infinite non-periodic wire for various types of dopants. Two concentration limits are explored: the single-dopant and the massively doped limits. Our calculations permit us to conclude that n-doped Si will be less leaky than p-doped Si. For the low bias at which these nanodevices will operate, leakage currents will be less than 10% for n-doped Si substrates and 20% for p-doped ones. © 2013 AIP Publishing LLC., The authors acknowledge financial support from the European-Union Integrated Project AtMol ( http://www.atmol.eu).

Published
2013
Full Text
View/download PDF

6. Morphology-induced redistribution of surface plasmon modes in two-dimensional crystalline gold platelets

Author

Aurélien Cuche, Alexandre Teulle, Arnaud Arbouet, Jadab Sharma, C. Girard, Erik Dujardin, Sviatlana Viarbitskaya, Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Groupe NanoSciences (CEMES-GNS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse)

Subjects
Photoluminescence, Materials science, Physics and Astronomy (miscellaneous), Surface plasmon, Physics::Optics, 02 engineering and technology, Optical field, 021001 nanoscience & nanotechnology, 01 natural sciences, Molecular physics, law.invention, Crystallography, Optical microscope, law, 0103 physical sciences, Microscopy, Quasiparticle, [CHIM]Chemical Sciences, Redistribution (chemistry), 010306 general physics, 0210 nano-technology, Luminescence
Abstract

cited By 10; International audience; The 2D optical field intensity distribution in sub-micron, ultrathin, and crystalline gold platelets is investigated by two-photon luminescence (TPL) microscopy. In particular, the evolution of the TPL maps as the particle morphology undergoes a transition from triangular to hexagonal reveals that the signatures of the high-order surface plasmon states sustained by the platelets follows the same C3v to C6v symmetry redistribution. Experimental observations are precisely accounted for by theoretical simulations based on the Green dyadic method.

Published
2013
Full Text
View/download PDF

7. Interface structure governed by plastic and structural dissimilarity in perovskite La0.7Sr0.3MnO3 nanodots on rock-salt MgO substrates

Author

Narcis Mestres, Teresa Puig, P. Abellan, Jone Zabaleta, Marie-José Casanove, Felip Sandiumenge, José Santiso, Nigel D. Browning, Jeffery A. Aguiar, Xavier Obradors, N. Dix, Ministerio de Educación y Ciencia (España), Generalitat de Catalunya, European Commission, National Facility for Aberration Corrected STEM (SuperSTEM), SciTechDaresbury Campus, University of California [Davis] (UC Davis), University of California, Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB), Consejo Superior de Investigaciones Científicas [Madrid] (CSIC), Research Center for Nanoscience ans Nanotechnology (CIN2), Universitat de Barcelona (UB), Surfaces, Interfaces et Nano-Objets (CEMES-SINanO), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Lawrence Livermore National Laboratory (LLNL), University of California (UC), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), and Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
010302 applied physics, Materials science, Nanostructure, Physics and Astronomy (miscellaneous), 02 engineering and technology, Slip (materials science), 021001 nanoscience & nanotechnology, Epitaxy, 01 natural sciences, 3. Good health, Crystallography, Nanolithography, Chemical physics, 0103 physical sciences, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Nanodot, Self-assembly, Dislocation, 0210 nano-technology, Burgers vector
Abstract

et al., Self-assembled La 0.7Sr 0.3MnO 3 perovskite nanodots have been grown on highly mismatched rock-salt type MgO substrates by chemical solution deposition. The interfacial dislocation structure indicates that the relaxation mechanism is governed by the easy glide of MgO 1/2101{101} dislocations towards the interface, where they dissociate into misfit-relieving and tilting components. The latter induce a 4-domain tilt pattern superimposed to the main cube-on-cube epitaxial orientation. It is shown that the inheritance of the rotational component of the Burgers vector has detrimental consequences on the interfacial quality, evidencing the impact of structural and plastic dissimilarity on the design of self-assembled nanostructures. © 2012 American Institute of Physics., We acknowledge the financial support from MEC (Consolider NANOSELECT, MAT2008-01022, MAT2011- 29081-C02-02, and FPU; F.S. acknowledges a sabbatical stay at UC-Davis) and Generalitat de Catalunya (Pla de Recerca 2009-SGR-770 and XaRMAE). The Cs-corrected Tecnai-F20 FEI electron microscope was used in the framework of the European project ESTEEM (contract 026019).

Published
2012
Full Text
View/download PDF

8. Thermally induced permittivity enhancement in La-doped ZrO2 grown by atomic layer deposition on Ge(100)

Author

Silvia Baldovino, Alessandro Molle, Claudia Wiemer, Luca Lamagna, Pierre-Eugène Coulon, Sylvie Schamm-Chardon, M. Perego, Marco Fanciulli, Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Dipartimento di Scienza dei Materiali, Università degli Studi di Milano-Bicocca = University of Milano-Bicocca (UNIMIB), STREP 16172: REALISE, European Project: STREP 16172: REALISE,REALISE, Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), and Università degli Studi di Milano-Bicocca [Milano] (UNIMIB)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], 010302 applied physics, Permittivity, Materials science, Physics and Astronomy (miscellaneous), Passivation, Analytical chemistry, 02 engineering and technology, Dielectric, Chemical vapor deposition, 021001 nanoscience & nanotechnology, 01 natural sciences, Atomic layer deposition, Vacuum deposition, 0103 physical sciences, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Atomic layer epitaxy, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Thin film, 0210 nano-technology
Abstract

International audience; La-doped ZrO2 thin films grown by O3-based atomic layer deposition directly on Ge(100) exhibit a dielectric constant of 29. Upon annealing in N2 at 400 °C, a high κ value >40 is extracted for film thickness below 15 nm. Compositional depth profiling allows to correlate this observation with a remarkable Ge interdiffusion from the substrate which is consistent with the stabilization of the tetragonal ZrO2 phase. Ge interaction with the oxide stack and the formation of a germanate-like interfacial region, which acts as an electrical passivation for the Ge surface, are also investigated.

Published
2009
Full Text
View/download PDF

9. Strain mapping of tensiley strained silicon transistors with embedded Si1−yCy source and drain by dark-field holography

Author

Hugo Bender, Florent Houdellier, Florian Hüe, Martin Hÿtch, Alain Claverie, Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Interférométrie, In situ et Instrumentation pour la Microscopie Electronique (CEMES-I3EM), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), IMEC, Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3)

Subjects
Electron mobility, Materials science, Physics and Astronomy (miscellaneous), [PHYS.PHYS.PHYS-ACC-PH]Physics [physics]/Physics [physics]/Accelerator Physics [physics.acc-ph], Analytical chemistry, Holography, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, law.invention, Strain engineering, [PHYS.QPHY]Physics [physics]/Quantum Physics [quant-ph], law, Gate oxide, 0103 physical sciences, MOSFET, [PHYS.HEXP]Physics [physics]/High Energy Physics - Experiment [hep-ex], 010302 applied physics, [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], Strain (chemistry), business.industry, Strained silicon, 021001 nanoscience & nanotechnology, Dark field microscopy, [SPI.ELEC]Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Optoelectronics, 0210 nano-technology, business, [SPI.SIGNAL]Engineering Sciences [physics]/Signal and Image processing
Abstract

International audience; Dark-field holography, a new transmission electron microscopy technique for mapping strain distributions at the nanoscale, is used to characterize strained-silicon n-type transistors with a channel width of 65 nm. The strain in the channel region, which enhances electron mobilities, is engineered by recessed Si0.99C0.01 source and drain stressors. The strain distribution is measured across an array of five transistors over a total area of 1.6 μm wide. The longitudinal tensile strain reaches a maximum of 0.58%±0.02% under the gate oxide. Theoretical strain maps obtained by finite element method agree well with the experimental results.

Published
2009
Full Text
View/download PDF

10. Atomic layer deposition of LaxZr1−xO2−δ (x=0.25) high-k dielectrics for advanced gate stacks

Author

Alessandro Molle, Marco Fanciulli, Silvia Baldovino, Luca Lamagna, S. Schamm, S. N. Volkos, Dimitra Tsoutsou, Pierre-Eugène Coulon, Laboratorio Nazionale MDM CNR-INFM, Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), STREP 16172: REALISE, European Project: STREP 16172: REALISE,REALISE, Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)

Subjects
[PHYS]Physics [physics], 010302 applied physics, Permittivity, Materials science, Physics and Astronomy (miscellaneous), Electron energy loss spectroscopy, Analytical chemistry, 02 engineering and technology, Chemical vapor deposition, 021001 nanoscience & nanotechnology, 01 natural sciences, Atomic layer deposition, X-ray photoelectron spectroscopy, Vacuum deposition, 0103 physical sciences, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, 0210 nano-technology, High-resolution transmission electron microscopy, High-κ dielectric
Abstract

International audience; Thin LaxZr1−xO2−δ (x=0.25) high permittivity (k) films are grown on Si(100) by atomic layer deposition at 300 °C using (PirCp)3La, (MeCp)2ZrMe(OMe) and O3 species. Their properties are studied by grazing incidence x-ray diffraction, high resolution transmission electron microscopy, electron energy loss spectroscopy, x-ray photoelectron spectroscopy, and electrical measurements on the as-grown films and after vacuum annealing at 600 °C. Annealed films feature resistance to hygroscopicity, a large k value of around 30 and an acceptable leakage current density. A low-k silica-rich interlayer is also evidenced at both pristine and annealed high-k/Si interfaces.

Published
2009
Full Text
View/download PDF

11. dc effect in a single micrometric spin valve sensor under ferromagnetic resonance

Author

Claude Fermon, Nicolas Biziere, Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Service de physique de l'état condensé (SPEC - UMR3680), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), and Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
Materials science, Physics and Astronomy (miscellaneous), Condensed matter physics, Spin polarization, Spin valve, Magnetic resonance force microscopy, Giant magnetoresistance, 02 engineering and technology, Condensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect, 021001 nanoscience & nanotechnology, 01 natural sciences, Ferromagnetic resonance, Magnetic field, Condensed Matter::Materials Science, [PHYS.COND.CM-GEN]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Other [cond-mat.other], 0103 physical sciences, 010306 general physics, 0210 nano-technology, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Microwave, Excitation
Abstract

We report on the observation of an increase in the dc voltage of a micrometric spin valve sensor designed as a yoke shape when the ferromagnetic resonance of the free layer is excited by a microwave magnetic field. We show that this effect is a sum of a heating effect and the coupling between the current induced in the sensor by the microwave magnetic field and the giant magnetoresistance (GMR) effect. By making explicit the expression of the GMR effect when submitted to an ac magnetic excitation, we show how to separate both effects.

Published
2008
Full Text
View/download PDF

12. Sub-Kelvin transport spectroscopy of fullerene peapod quantum dots

Author

Jesper Nygård, P. Utko, Marc Monthioux, Laure Noé, University of Copenhagen = Københavns Universitet (KU), Matériaux Multi-fonctionnels et Multi-échelles (CEMES-M3), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), University of Copenhagen = Københavns Universitet (UCPH), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), and Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
Materials science, Fullerene, Physics and Astronomy (miscellaneous), Condensed matter physics, Coulomb blockade, Conductance, 02 engineering and technology, Carbon nanotube, Condensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect, 021001 nanoscience & nanotechnology, 01 natural sciences, law.invention, Condensed Matter::Materials Science, law, Quantum dot, Electrical resistivity and conductivity, 0103 physical sciences, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Physics::Atomic and Molecular Clusters, Molecule, 010306 general physics, 0210 nano-technology, Spectroscopy
Abstract

International audience; The authors have studied electrical transport properties of individual C60 fullerene peapods, i.e., single-wall carbon nanotubes encapsulating C60 molecules. Their measurements indicated power lawlike temperature dependencies of linear conductance similar to those for empty nanotubes. At temperatures below 30K, peapod devices behaved as highly regular individual quantum dots showing regular Coulomb blockade oscillations. Signatures of Kondo physics appeared at the lowest measurement temperature of 315mK.

Published
2006
Full Text
View/download PDF

Catalog

Books, media, physical & digital resources
See catalog results