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11 results on '"Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3)"'

1. Wavelength tunable soliton rains in a nanotube-mode locked Tm-doped fiber laser

Author

B. Fu, D. Popa, Z. Zhao, S. A. Hussain, E. Flahaut, T. Hasan, G. Soavi, A. C. Ferrari, Centre National de la Recherche Scientifique - CNRS (FRANCE), Institut National Polytechnique de Toulouse - INPT (FRANCE), University of Cambridge (UNITED KINGDOM), Université Toulouse III - Paul Sabatier - UT3 (FRANCE), Beihang University (CHINA), Centre Interuniversitaire de Recherche et d'Ingénierie des Matériaux - CIRIMAT (Toulouse, France), Institut National Polytechnique de Toulouse - Toulouse INP (FRANCE), University of Cambridge [UK] (CAM), Beihang University (BUAA), Centre interuniversitaire de recherche et d'ingenierie des matériaux (CIRIMAT), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC), Popa, Daniel [0000-0002-5708-743X], Hasan, Tawfique [0000-0002-6250-7582], Ferrari, Andrea [0000-0003-0907-9993], and Apollo - University of Cambridge Repository

Subjects
Nanotube, Materials science, Physics and Astronomy (miscellaneous), Matériaux, FOS: Physical sciences, Physics::Optics, Applied Physics (physics.app-ph), 02 engineering and technology, Carbon nanotube, 01 natural sciences, law.invention, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, 010309 optics, law, Fiber laser, Mesoscale and Nanoscale Physics (cond-mat.mes-hall), 0103 physical sciences, cond-mat.mes-hall, [SPI.GPROC]Engineering Sciences [physics]/Chemical and Process Engineering, Spectroscopy, Génie des procédés, Computer Science::Databases, Double-walled carbon nanotube, Condensed Matter - Mesoscale and Nanoscale Physics, business.industry, Isolator, Physics - Applied Physics, 021001 nanoscience & nanotechnology, Polarization (waves), Tunable Laser, Wavelength, Optoelectronics, physics.optics, 0210 nano-technology, business, physics.app-ph, Ultrashort pulse, Optics (physics.optics), Physics - Optics, Ultrafast spectroscopy
Abstract

We report soliton rains in a tunable Tm-doped fiber laser mode locked by carbon nanotubes. We also detect their second- and third-harmonics. We achieve a tunability of over 56 nm, from 1877 to 1933 nm, by introducing a polarization-maintaining isolator and two in-line polarization controllers. This makes our system promising as a tunable filter for ultrafast spectroscopy., We acknowledge funding from ERC Grant Hetero2D, EPSRC Grants Nos. EP/L016087/1, EP/K017144/1, EP/K01711X/1 and the China Scholarship Council.

Published
2018

2. High quality Al2O3/(100) oxygen-terminated diamond interface for MOSFETs fabrication

Author

Thanh-Toan Pham, Etienne Gheeraert, Julien Pernot, Daniel Araujo, Marina Gutierrez, David Eon, Cédric Masante, Nicolas Rouger, Semi-conducteurs à large bande interdite (SC2G ), Institut Néel (NEEL), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Departamento Ciencia de los Materiales e IMyQI, Universidad de Cádiz (UCA), Convertisseurs Statiques (LAPLACE-CS), LAboratoire PLasma et Conversion d'Energie (LAPLACE), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, and Departamento de Ciencia de los Materiales e Ing. Metalurgica y Quimica Inorganica

Subjects
Materials science, Fabrication, Physics and Astronomy (miscellaneous), Oxide, 02 engineering and technology, engineering.material, 01 natural sciences, law.invention, [SPI]Engineering Sciences [physics], chemistry.chemical_compound, Atomic layer deposition, law, 0103 physical sciences, Electrical measurements, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, 010302 applied physics, business.industry, Diamond, 021001 nanoscience & nanotechnology, Capacitor, chemistry, Transmission electron microscopy, engineering, Optoelectronics, 0210 nano-technology, business, Layer (electronics)
Abstract

In this letter, we report on the improvement of gate controlled Al2O3/(100) boron doped (B-doped) oxygen-terminated diamond (O-diamond) Metal Oxide Semiconductor Capacitors using 40 nm thick Al2O3 deposited by Atomic Layer Deposition at 380 °C and then annealed at 500 °C in vacuum conditions. The high quality of Al2O3 and an Al2O3/diamond interface is verified thanks to electrical measurements and Transmission Electron Microscopy (TEM) measurements. A density of interface states lower than 1012 eV−1 cm−2 is measured from the flat-band regime to the depletion regime. The shift of the flat-band voltage and the leakage current through the oxide are significantly reduced in good agreement with the mono-crystalline character of the Al2O3 layer revealed by TEM.

Published
2018

3. Development of an ultrafast electron source based on a cold-field emission gun for ultrafast coherent TEM

Author

Arnaud Arbouet, Florent Houdellier, Giuseppe Mario Caruso, Pierre Abeilhou, Nano-Optique et Nanomatériaux pour l'optique (CEMES-NeO), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Interférométrie, In situ et Instrumentation pour la Microscopie Electronique (CEMES-I3EM), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)

Subjects
Materials science, Physics and Astronomy (miscellaneous), Physics::Optics, 02 engineering and technology, 7. Clean energy, 01 natural sciences, law.invention, Optics, law, 0103 physical sciences, Scanning transmission electron microscopy, Physics::Atomic and Molecular Clusters, Energy filtered transmission electron microscopy, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], 010306 general physics, Field emission gun, [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], business.industry, 021001 nanoscience & nanotechnology, Laser, Field electron emission, Transmission electron microscopy, Femtosecond, microscopy, 0210 nano-technology, business, Ultrashort pulse
Abstract

WOS:000405661700041; International audience; We report on the design of a femtosecond laser-driven electron source for ultrafast coherent transmission electron microscopy. The proposed architecture allows introducing an ultrafast laser beam inside the cold field emission source of a commercial TEM, aligning and focusing the laser spot on the apex of the nanoemitter. The modifications of the gun assembly do not deteriorate the performances of the electron source in conventional DC mode and allow easy switching between the conventional and ultrafast laser-driven emission modes. We describe here this ultrafast electron source and discuss its properties. Published by AIP Publishing.

Published
2017

4. Sb surfactant mediated growth of InAs/AlAs0.56Sb0.44 strained quantum well for intersubband absorption at 1.55 μm

Author

Hervé Folliot, Yu Zhao, Mathieu Perrin, Bénédicte Warot-Fonrose, Nicolas Bertru, Christophe Gatel, Anne Ponchet, Julien Nicolai, Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Surfaces, Interfaces et Nano-Objets (CEMES-SINanO), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), ANR, ANR-11-BS10-0017,NAIADE,Nanocaractérisation et modélisation d'Antimoniures d'éléments III : Interfaces et Analyse des Déformations d'Epitaxie(2011), Université de Rennes (UR)-Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Télécom Bretagne-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse)

Subjects
010302 applied physics, Photoluminescence, Materials science, Physics and Astronomy (miscellaneous), Condensed matter physics, business.industry, 02 engineering and technology, Substrate (electronics), 021001 nanoscience & nanotechnology, 01 natural sciences, Lattice constant, Transmission electron microscopy, 0103 physical sciences, X-ray crystallography, Optoelectronics, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], 0210 nano-technology, business, High-resolution transmission electron microscopy, Layer (electronics), Quantum well
Abstract

International audience; Surfactant mediated growth of strained InAs/AlAs0.56 Sb 0.44 quantum wells on InP (001) substrate is investigated. X ray diffraction and transmission electron microscopy analysis reveal that the supply of antimony on InAs surface delays the 2D to 3D growth transition and allows the growth of thick InAs/AlAsSb quantum wells. Quantum well as thick as 7 ML, without defect was achieved by Sb surfactant mediated growth. Further high resolution transmission electron microscopy measurement and geometric phase analysis show that InAs/AlAsSb interfaces are not abrupt. At InAs on AlAsSb interface, the formation of a layer presenting lattice parameter lower than InP leads to a tensile stress. From energetic consideration, the formation of As rich AlAsSb layer at interface is deduced. At AlAsSb on InAs interface, a compressive layer is formed. The impact on optical properties and the chemical composition of this layer are discussed from microscopic analysis and photoluminescence experiments.

Published
2015

5. Precision Bragg reflectors obtained by molecular beam epitaxy under in situ tunable dynamic reflectometry control

Author

R. Legros, Véronique Bardinal, Chantal Fontaine, Équipe Photonique (LAAS-PHOTO), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Groupe d'étude des semiconducteurs (GES), Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques (UM2)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire des sciences et matériaux pour l'électronique et d'automatique (LASMEA), and Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand 2 (UBP)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
Fabrication, Materials science, Physics and Astronomy (miscellaneous), Physics::Optics, Synchronizing, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, law.invention, Condensed Matter::Materials Science, Optics, law, 0103 physical sciences, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Reflectometry, 010302 applied physics, business.industry, Bragg's law, 021001 nanoscience & nanotechnology, Laser, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, Wavelength, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Optoelectronics, Photonics, 0210 nano-technology, business, Molecular beam epitaxy
Abstract

International audience; Highly accurate layer thicknesses are required for multilayers involved in photonic devices, such as Bragg reflectors. In this letter, we demonstrate that precise, real-time monitoring of molecular beam epitaxy growing layers can be achieved by near-normal incidence dynamic reflectometry with a tunable sapphire-titanium laser used as a source. The advantage of this new technique lies in the possibility of synchronizing the material changes and the reflectivity extrema by selecting adequate analysis wavelengths. This technique is shown to provide 885 nm GaAs-AlAs Bragg reflectors with a layer thickness accuracy in excess of 1%.

Published
1995

6. Interaction between jets during laser-induced forward transfer

Author

Pere Serra, G. Hennig, A. Patrascioiu, Ph. Delaporte, Camilo Florian, J. M. Fernández-Pradas, J.L. Morenza, Centre de Recherches sur la Cognition Animale (CRCA), Centre de Biologie Intégrative (CBI), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut des sciences du cerveau de Toulouse. (ISCT), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-CHU Toulouse [Toulouse]-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-CHU Toulouse [Toulouse]-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire Lasers, Plasmas et Procédés photoniques (LP3), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Aix Marseille Université (AMU), Centre de Recherches sur la Cognition Animale - UMR5169 (CRCA), Institut des sciences du cerveau de Toulouse. (ISCT), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre Hospitalier Universitaire de Toulouse (CHU Toulouse)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Centre Hospitalier Universitaire de Toulouse (CHU Toulouse)-Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale (INSERM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre de Biologie Intégrative (CBI), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and Aix Marseille Université (AMU)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
010302 applied physics, Physics, Flow visualization, Liquid transfer, Aqueous solution, Physics and Astronomy (miscellaneous), business.industry, Time resolution, 02 engineering and technology, Mechanics, 021001 nanoscience & nanotechnology, Laser, 01 natural sciences, Imaging analysis, law.invention, Optics, law, Deflection (engineering), 0103 physical sciences, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Two-phase flow, 0210 nano-technology, business
Abstract

International audience; Simultaneous two-beam laser-induced forward transfer (LIFT) was carried out for various inter-beam separations, analyzing both the resulting printing outcomes and the corresponding liquid transfer dynamics. In a first experiment, droplets of an aqueous solution were printed onto a substrate at different inter-beam distances, which proved that a significant departure from the single-beam LIFT dynamics takes places at specific separations. In the second experiment, time-resolved imaging analysis revealed the existence of significant jet-jet interactions at those separations; such interactions proceed through a dynamics that results in remarkable jet deflection for which a possible onset mechanism is proposed. (C) 2014 AIP Publishing LLC.

Published
2014

7. Leakage current in atomic-size surface interconnects

Author

Mikael Kepenekian, Roberto Robles, Christian Joachim, Nicolás Lorente, Institut Catala de Nanociencia i Nanotecnologia (ICN2), Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), Consejo Superior de Investigaciones Científicas [Madrid] (CSIC), Groupe NanoSciences (CEMES-GNS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Agency for science, technology and research [Singapore] (A*STAR), European Commission, Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)

Subjects
Materials science, Physics and Astronomy (miscellaneous), Silicon, Nanowire, chemistry.chemical_element, Nanotechnology, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, Condensed Matter::Materials Science, Condensed Matter::Superconductivity, 0103 physical sciences, [PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat], [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, 010306 general physics, Leakage (electronics), Dopant, business.industry, Doping, 021001 nanoscience & nanotechnology, Atomic radius, chemistry, Optoelectronics, Condensed Matter::Strongly Correlated Electrons, Density functional theory, 0210 nano-technology, business
Abstract

The current lost into a doped silicon substrate from a surface-supported nanowire is evaluated using transport calculations based on density functional theory. The calculations are performed for an infinite non-periodic wire for various types of dopants. Two concentration limits are explored: the single-dopant and the massively doped limits. Our calculations permit us to conclude that n-doped Si will be less leaky than p-doped Si. For the low bias at which these nanodevices will operate, leakage currents will be less than 10% for n-doped Si substrates and 20% for p-doped ones. © 2013 AIP Publishing LLC., The authors acknowledge financial support from the European-Union Integrated Project AtMol ( http://www.atmol.eu).

Published
2013

8. Strain mapping of tensiley strained silicon transistors with embedded Si1−yCy source and drain by dark-field holography

Author

Hugo Bender, Florent Houdellier, Florian Hüe, Martin Hÿtch, Alain Claverie, Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Interférométrie, In situ et Instrumentation pour la Microscopie Electronique (CEMES-I3EM), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), IMEC, Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme (CEMES-MEM), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3)

Subjects
Electron mobility, Materials science, Physics and Astronomy (miscellaneous), [PHYS.PHYS.PHYS-ACC-PH]Physics [physics]/Physics [physics]/Accelerator Physics [physics.acc-ph], Analytical chemistry, Holography, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials, law.invention, Strain engineering, [PHYS.QPHY]Physics [physics]/Quantum Physics [quant-ph], law, Gate oxide, 0103 physical sciences, MOSFET, [PHYS.HEXP]Physics [physics]/High Energy Physics - Experiment [hep-ex], 010302 applied physics, [PHYS.PHYS.PHYS-OPTICS]Physics [physics]/Physics [physics]/Optics [physics.optics], Strain (chemistry), business.industry, Strained silicon, 021001 nanoscience & nanotechnology, Dark field microscopy, [SPI.ELEC]Engineering Sciences [physics]/Electromagnetism, [SPI.OPTI]Engineering Sciences [physics]/Optics / Photonic, Optoelectronics, 0210 nano-technology, business, [SPI.SIGNAL]Engineering Sciences [physics]/Signal and Image processing
Abstract

International audience; Dark-field holography, a new transmission electron microscopy technique for mapping strain distributions at the nanoscale, is used to characterize strained-silicon n-type transistors with a channel width of 65 nm. The strain in the channel region, which enhances electron mobilities, is engineered by recessed Si0.99C0.01 source and drain stressors. The strain distribution is measured across an array of five transistors over a total area of 1.6 μm wide. The longitudinal tensile strain reaches a maximum of 0.58%±0.02% under the gate oxide. Theoretical strain maps obtained by finite element method agree well with the experimental results.

Published
2009

9. High speed pulsed electrical spin injection in spin-light emitting diode

Author

P. H. Binh, Aristide Lemaître, Thierry Amand, H. Jaffrès, Xavier Marie, Yuan Lu, Pierre Renucci, J.-M. George, Michael Tran, Cyrile Deranlot, Viet Giang Truong, Laboratoire de physique et chimie des nano-objets (LPCNO), Institut de Recherche sur les Systèmes Atomiques et Moléculaires Complexes (IRSAMC), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC), Institute of Material Science, Unité mixte de physique CNRS/Thales (UMPhy CNRS/THALES), THALES-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche sur les Systèmes Atomiques et Moléculaires Complexes (IRSAMC), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), and THALES [France]-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Subjects
Materials science, Physics and Astronomy (miscellaneous), Physics::Instrumentation and Detectors, 02 engineering and technology, Electron, Electroluminescence, 7. Clean energy, 01 natural sciences, law.invention, Condensed Matter::Materials Science, law, 0103 physical sciences, Circular polarization, Quantum well, Diode, 010302 applied physics, Condensed Matter::Other, business.industry, Nanosecond, Condensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect, 021001 nanoscience & nanotechnology, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, Semiconductor, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Optoelectronics, 0210 nano-technology, business, Light-emitting diode
Abstract

International audience; We demonstrate high speed pulsed electrical spin injection from a CoFeB/MgO spin injector into a AlGaAs/GaAs semiconductor light emitting diode. Under pulsed electrical excitation, time-resolved electroluminescence on nanosecond time scale exhibits a plateau of circular polarization degree as high as 15% under a 0.8 T magnetic field. It follows an initial decay that could be due to electron spin-relaxation process in the quantum well embedded in the intrinsic region of the diode. The temporal buildup of the electronic spin polarization degree in the quantum well is much faster than the rise time of electroluminescence intensity.

Published
2009

10. Prediction of the thermal annealing of thick oxide metal-oxide-semiconductor dosimeters irradiated in a harsh radiation environment

Author

Gérard Sarrabayrouse, Federico Ravotti, Laurent Dusseau, M. Glaser, Frédéric Saigné, Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier (CEM2), Université Montpellier 2 - Sciences et Techniques (UM2)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)

Subjects
Health Physics and Radiation Effects, Materials science, Physics and Astronomy (miscellaneous), Silicon, Annealing (metallurgy), Oxide, chemistry.chemical_element, 02 engineering and technology, 01 natural sciences, chemistry.chemical_compound, 0103 physical sciences, MOSFET, Irradiation, Detectors and Experimental Techniques, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, Dosimeter, 010308 nuclear & particles physics, business.industry, Semiconductor device, 021001 nanoscience & nanotechnology, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics, chemistry, 13. Climate action, Optoelectronics, Field-effect transistor, 0210 nano-technology, business
Abstract

Radiation-sensing metal-oxide-semiconductor field-effect transistors produced by the laboratory LAAS-CNRS were exposed to a harsh hadron field that represents the real radiation environment expected at the CERN Large Hadron Collider experiments. The long-term stability of the transistor’s Ids-Vgs characteristic was investigated using the isochronal annealing technique. In this work, devices exposed to high intensity hadron levels (Φ⩾1012neutrons∕cm2) show evidences of displacement damages in the Ids-Vgs annealing behavior. By comparing experimental and simulated results over 14months, the isochronal annealing method, originally devoted to oxide trapped charge, is shown to enable prediction of the recovery of silicon bulk defects.

Published
2006

11. Ultrathin films of homeotropically aligned columnar liquid crystals on indium tin oxide electrodes

Author

Lamine Cisse, Eric Grelet, Hassan Saadaoui, Isabelle Séguy, Nicolas Gherardi, Harald Bock, Emilie Charlet, Pierre Destruel, Paul Brettes, Centre de recherches Paul Pascal (CRPP), Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), LAboratoire PLasma et Conversion d'Energie (LAPLACE), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées

Subjects
Materials science, Physics and Astronomy (miscellaneous), Annealing (metallurgy), Homeotropic alignment, 02 engineering and technology, Films homeotrop, Indium tin, engineering.material, 010402 general chemistry, 01 natural sciences, 7. Clean energy, Thermotropic crystal, Coating, Liquid crystal, Thin film, Electrodes, business.industry, Mesophase, 021001 nanoscience & nanotechnology, Liquid crystal columnar, 0104 chemical sciences, Indium tin oxide, engineering, Optoelectronics, 0210 nano-technology, business, [PHYS.COND.CM-SCM]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Soft Condensed Matter [cond-mat.soft]
Abstract

3 pages; International audience; We report the achievement of very thin films (thickness of about 50 nm) of thermotropic columnar liquid crystal in homeotropic (columns normal to the interface) orientation on indium tin oxide (ITO) electrodes. The face-on alignment of the discotic compound has been obtained by thermal annealing without any intermediate coating between the mesophase and the ITO substrate. Such a columnar mesophase alignment is thus shown on a substrate of technological interest in open supported thin film reaching the thickness range suitable for organic photovoltaic devices.

Published
2008

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