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Les objectifs du présent travail sont de deux ordres : d'abord obtenir le rapport de MRG, ΔR/R, le plus élevé dans des multicouches Co/Cu élaborées à partir du procédé inhabituel de pulvérisation par diode radiofréquence (RF). En second, analyser les corrélations entre la MRG d'une part et les textures et rugosités interfaciales déduites des diffractions X aux petits et grands angles et de la microscopie à force atomique (MFA) d'autre part. A cet effet, nous avons cherché à induire différentes structures interfaciales en modifiant les paramètres de pulvérisation (pression du gaz pulvérisant PAr) ce qui, par ailleurs, a permis de définir les conditions optimales de dépôt pour l'obtention d'une MRG élevée. L'influence de l'épaisseur tCodu film Co a été étudiée pour une épaisseur du film de Cu = 9Å correspondant au premier maximum de la dépendance oscillatoire avec tCudu rapport de MRG. De ces résultats, nous concluons que le paramètre pertinent est la rugosité interfaciale qui induit un effet important à la fois sur la MRG et sur la résistivité des super-réseaux. Un changement de pente de Rs-1en fonction de t2Coest attribué à une augmentation de l'effet de rugosité quand tCodécroît de l'échelle mésoscopique (tCo> 25Å) vers l'échelle nanoscopique (tCo< 25Å).

The objectives of the present work were two fold: first to obtain the highest giant magnetoresistance (GMR) ratio in Co/Cu multilayers grown from the unusual process of rf diode sputtering and second, to investigate in detail correlation between GMR and texture and the interfacial roughness deduced from X-ray diffraction and AFM, respectively. Different interface structures have been induced from the change of the sputtering parameters (sputtering argon gas pressure P"A"r) which gave the optimal rf sputtering conditions for high GMR. From different results it is concluded that the most important parameter is interface roughness which induces a strong effect on both the GMR and the resistivity of the superlattice. A change in the t^2"C"o dependence of the reciprocal resistance near t"C"o = 25 A is attributed to an increase of the effect of the layer roughness when the t"C"o is going from mesoscopic (t"C"o > 25 A) to nanoscopic scale (t"C"o < 25 A).

Since amorphous Co"1"0"0"-"xZr"x alloys present ultrasoft properties, higher sensitivity is expected in CoZr/Cu multilayers compared to the Co/Cu system as investigated in the present work from two types (I and II) of hybrid magnetic structures [(F"1/F"2/F"1)Cu]"1"5 where (F"1/F"2/F"1) is a magnetic sandwich corresponding to either [(CoZr/Co/CoZr)]"1"5 (type I) or [(Co/CoZr/Co)Cu]"1"5 (type II) and F"1 is a very thin magnetic layer inserted at the interfaces between the Cu layer and the magnetic F"2-based multilayers. Strong changes in the magnetization hysteresis curve, the indirect exchange coupling J and the magnetoresistive properties are observed with the insertion of a very thin magnetic CoZr (Co) layer at the interfaces between Cu spacer layers and the magnetic Co (CoZr) layer in Co/Cu (CoZr/Cu) multilayers. Insertion of a 2 A thick CoZr layer into interfaces of the Co/Cu type I multilayers induces significant reduction by a factor 5 of J and the magnetoresistance @D R/R. Opposite evolution is observed when a thin Co layer is inserted in CoZr/Cu type II multilayers. The dependences of the magnetic and magnetoresistive characteristics with the insertion are correlated with the interface roughness change as deduced from XRD at low angles.