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The natural abundance of 14C in total CO2 dissolved in seawater (DIC) is a property applied to evaluate the water age structure and circulation in the ocean and in ocean models. In this study we use three different representations of the global ocean circulation augmented with a suite of idealised tracers to study the potential and limitations of using natural 14C to determine water age, which is the time elapsed since a body of water has been in contact with the atmosphere. We find that, globally, bulk 14C-age is dominated by two equally important components, one associated with ageing, i.e. the time component of circulation, and one associated with a "preformed 14C-age". The latter quantity exists because of the slow and incomplete atmosphere–ocean equilibration of 14C particularly in high latitudes where many water masses form. In the ocean's interior, preformed 14C-age behaves like a passive tracer. The relative contribution of the preformed component to bulk 14C-age varies regionally within a given model, but also between models. Regional variability in the Atlantic Ocean is associated with the mixing of waters with very different end members of preformed 14C-age. Here, variations in the preformed component over space and time mask the circulation component to an extent that its patterns are not detectable from bulk 14C-age. Between models, the variability of preformed 14C-age can also be considerable (factor of 2), related to the combination of physical model parameters, which influence circulation dynamics or gas exchange. The preformed component was found to be very sensitive to gas exchange and moderately sensitive to ice cover. In our model evaluation, the choice of the gas-exchange constant from within the currently accepted range of uncertainty had such a strong influence on preformed and bulk 14C-age that if model evaluation would be based on bulk 14C-age, it could easily impair the evaluation and tuning of a model's circulation on global and regional scales. Based on the results of this study, we propose that considering preformed 14C-age is critical for a correct assessment of circulation in ocean models.

We use 2-D and 3-D TCAD simulations in Sentaurus Device to determine the injection-dependent device performance impacts of point defects (e.g., Fei) and extended defects (e.g., grain boundaries). We identify features of device design that contribute to defect tolerance.

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The invention relates to a sensor device (4) for measuring a direction of incident flow (2) with which a flowing medium flows against the sensor device (4), having a flow body (1) which is set up to have the flowing medium flow around it, the flow body (1) having a plurality of pressure-sensitive or force-sensitive sensor elements (3) which are arranged on the outer surface of the flow body (1) or are arranged in the flow body (1) and are connected to the outer surface of the flow body (1), and the sensor elements (3) being arranged behind one another along the intended course (30) of the flow around the flow body (1). The invention also relates to an evaluation device for such a sensor device.

Nowadays new solar cell concepts are continually attracting the attention of the PV industry. Thereby emitter structures and the application of high performance emitters like the homogeneous and etched-back emitter on crystalline p- and n-type silicon solar cells continue to be very popular [1]-[4]. In this work we study the influence of process parameters on the phosphosilicate glass layer characteristics during the predeposition of a POCl3 diffusion process. The quantitative analysis of the highly doped layer gives a deeper understanding of the phosphorus diffusion process for industrial emitter structures.

27th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 1325-1328, The understanding and therefore the optimization of n+-emitter formation in crystalline silicon using POCl3-diffusion requires a more detailed knowledge of the dopant source: the PhosphoSilicate Glass (PSG) layer. The growth of PSG during the phosphorus diffusion process depends on several process parameters, such as temperature, duration, POCl3-N2 and O2 gas flows. In this work, we compare the uncertainties in various methods for PSG thickness measurements: by an Atomic Force Microscope (AFM), a profilometer, a Scanning Electron Microscope (SEM) and a spectroscopic ellipsometer. We then quantify how the PSG thickness is influenced by the process parameters. We also measure the total amount of phosphorus (P-dose) in the PSG layer using Inductively Coupled Plasma Optical Emission Spectrometry (ICP-OES) and quantify the P dose in dependence of the process parameters as well. Finally, by combining both the measured PSG thickness and the dose, we successfully determine a lower limit for the phosphorus concentration in the PSG layer. It is, depending on the process parameters, between 7x1021 cm-3 and 1.2x1022 cm-3, which is a remarkably narrow range. These results will help to improve the phosphorus diffusion model by considering both the PSG growth behavior and PSG composition, and so will facilitate the development of a predictive model for the POCl3 diffusions process.

Las infraestructuras de telecomunicaciones cableadas están siendo sustituidas por sus equivalentes inalámbricos debido a la versatilidad y flexibilidad de estos últimos, así como por su facilidad de despliegue. Los sistemas inalámbricos presentan, aun así, importantes desventajas que están retrasando su implantación en ciertos sectores donde la seguridad es crítica y donde es obligatorio garantizar cierto rendimiento del sistema bajo toda circunstancia de funcionamiento. Hasta el momento la industria aeroespacial no ha introducido en sus sistemas los equivalentes inalámbricos, es ahora cuando se está implantando la tecnología inalámbrica para sistemas secundarios (como proporcionar internet al pasajero o un sistema interno de comunicaciones). El Instituto de Sistemas de Vuelo del Centro Aeroespacial Alemán (“German Aerospace Center”) va un paso más allá y está desarrollando el equivalente inalámbrico de los actuales Sistemas de Control de Vuelo cableados, presentes en toda la aviación actual. Los sistemas de control de vuelo conforman una de las partes más sensibles del avión ya que es lo que permite al piloto controlar todos los elementos móviles del aparato. Por ello, las normativas que rigen el funcionamiento de estos sistemas críticos en seguridad son muy estrictas, ya que un fallo podría significar una catástrofe. El uso de tecnologías inalámbricas implica que el sistema debe ser capaz de sobreponerse a las variaciones del canal, de adaptarse y reconfigurarse para poder funcionar en entornos hostiles (entornos con muchas interferencias, ruido etc.) y de combatir ataques electromagnéticos dirigidos hacia él, a fin de garantizar la fiabilidad del sistema en todo momento. Con este objetivo se propone estudiar las diferentes posibilidades existentes entre las tecnologías inalámbricas para la creacion de un sistema de control de vuelo inalámbrico, asi como estudiar, clasificar y caracterizar los tipos de ataques que podrían ser perpetrados contra él. Posteriormente se diseñará la base de un sistema de control de vuelo inalámbrico y se construirá un entorno de simulación en Matlab/Simulink donde se procederá a comprobar el comportamiento del sistema diseñado y su funcionamiento en presencia de ataques electromagnéticos. Por último se diseñarán y se incluirán en el modelo de simulink medidas para combatir posibles ataques y también para mitigar la variabilidad del canal inalámbrico.

Die Erfindung betrifft eine Einrichtung mit einem Aktuator (50) zur Abgabe einer mechanischen Abgabegröße, insbesondere einer Kraft und/oder eines Wegs, und einer Steuereinrichtung (11) zur Steuerung der Abgabegröße des Aktuators (50), wobei die Steuereinrichtung (11) mit dem Aktuator zur Zuführung eines Steuersignals verbunden ist, und wobei der Aktuator (50) wenigstens einen im Kraftfluss angeordneten, die abgegebene oder aufgenommene Kraft des Aktuators erfassenden piezoresistiven Messaufnehmer (9) aufweist, wobei der Steuereinrichtung (11) ein Ausgangssignal (Ub) des wenigstens einen piezoresistiven Messaufnehmers (9) zugeführt ist und die Steuereinrichtung (11) dazu eingerichtet ist, den Aktuator (50) in Abhängigkeit von dem Ausgangssignal (Ub) zu steuern. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Steuerung eines Aktuators einer solchen Einrichtung.

Die Erfindung betrifft einen piezoresistiven Kraftsensor mit einem Substrat, wenigstens einer auf der Oberfläche des Substrats mit Kohlenwasserstoff gebildeten piezoresistiven Sensorschicht, wenigstens einer auf die piezoresistive Sensorschicht aufgebrachten ersten Elektrode und wenigstens einer die piezoresistive Sensorschicht und die erste Elektrode abdeckenden Isolations- und Verschleißschutzschicht. Der Kraftsensor ist als separates Bauteil hergestellt, das nach seiner Herstellung in ein anderes Bauelement einsetzbar oder damit verbindbar ist. Die Erfindung betrifft außerdem vorteilhafte Verwendungen des Kraftsensors sowie ein Verfahren zur Bereitstellung eines Kraftsensors.

Ziel der vorliegenden Untersuchung ist die Beschreibung der Einstellungen von Personalverantwortlichen österreichischer Unternehmen zu unterschiedlichen Aspekten des Themas ‚Väterkarenz’, um daraus Rückschlüsse auf die Rahmenbedingungen zu ziehen, welche karenzierte Väter bzw. Väter mit Karenzierungsabsichten in der Arbeitswelt vorfinden. In einem ersten theoretischen Teil erfolgte eine Beschreibung verschiedener Väterbilder ein historischer Abriss der Entwicklung von Väterbildern, ein Vergleich der unterschiedlichen Karenzregelungen in europäischen Ländern, die Auswirkungen des Übergangs zur Elternschaft auf verschiedene Lebensbereiche sowie eine Auseinandersetzung mit der Thematik ‚Vereinbarkeit von Familie und Beruf’ und ‚Väterkarenz’. Der empirische Teil dieser Untersuchung stellt eine repräsentative Querschnittsuntersuchung von 243 Personalverantwortlichen österreichischer Unternehmen dar. In einem weiteren Schritt wurde eine Analyse unter Einbeziehung der Stichprobe von Steger (2005), in welcher Personalverantwortliche von frauen- und familienfreundlichen Unternehmen befragt wurden, durchgeführt. Die Ergebnisse zeigen, dass zumeist Merkmale der befragten Personen ausschlaggebend für etwaige Differenzen in der Beurteilung verschiedenster Aspekte zum Thema ‚Väterkarenz’ sind, wobei vor allem das Geschlecht ein wichtiges Kriterium darstellt. Die Meinung der weiblichen Personalverantwortlichen ist zumeist eine positivere als jene der männlichen Personalverantwortlichen. Im Vergleich dazu sind Merkmale der Unternehmen in einem geringeren Ausmaß von Bedeutung. Generell wird angenommen, dass familiale Beziehungsaspekte und Aspekte einer ‚neuen Vaterschaft’ in einem hohen Ausmaß Motive für Väter sind, in Karenz zu gehen. Es sind überwiegend weibliche Personalverantwortliche, die Möglichkeiten sehen, mit karenzierten MitarbeiterInnnen in Kontakt zu bleiben, sei es durch atypische Beschäftigungsformen oder durch die Weitergabe von Informationen. Beim Wiedereinstieg von karenzierten MitarbeiterInnen ins Berufsleben fällt die Vereinbarkeit von Beruf und Familie in großen Betrieben leichter, da höchstwahrscheinlich in diesen auf die individuellen Bedürfnisse besser eingegangen werden kann. Männer, Personen mit Maturaabschluss (im Gegensatz zu Personen, welche eine Lehre, eine berufsbildende Schule bzw. eine Schule mit Matura abgeschlossen haben) und GeschäftsführerInnen (im Gegensatz zu LeiterInnen oder MitarbeiterInnen der Personalabteilung) haben diesbezüglich eine grundsätzlich negativere Haltung. Die Möglichkeit einer Rückkehr auf den ursprünglichen Arbeitsplatz nach einer Karenzierung ist nach Ansicht von weiblichen Personalverantwortlichen in einem höheren Ausmaß gegeben. Positive Veränderungen sozialer und Schlüsselkompetenzen der Väter durch die Familienarbeit werden von den befragten Personen kaum angenommen. Auch wird generell kaum ein Nutzen einer aktiven Förderung der Väterkarenz für das Image des Unternehmens und für die MitarbeiterInnen gesehen. Weiters erwarten sich die Personalverantwortlichen, dass von männlichen Kollegen und Vorgesetzten die Anerkennung von und Unterstützungsbereitschaft für Väter mit Karenzierungsabsichten eine geringe ist. Gründe für die geringe Väterkarenz-Quote in Österreich sehen die Personalverantwortlichen in einem hohen Ausmaß in den Befürchtungen der Väter vor negativen Reaktionen der Männer und vor negativen Auswirkungen auf den Arbeitsplatz. Hingegen sind Bedenken vor negativen Reaktionen von Frauen wenig von Bedeutung. Bei der Bildung von Personengruppen mit ähnlichen Einstellungen zeigt sich, dass ältere Geschäftsführer in Kleinbetrieben eine generell negativere Einstellung zum Thema ‚Väterkarenz’ haben als jüngere Frauen der Personalabteilung und als Personalleiter in Großbetrieben. Im Vergleich der vorliegenden Stichprobe mit ‚frauen- und familienfreundlichen Unternehmen’ kann man feststellen, dass in letzterer grundsätzlich bessere Bedingungen zur Umsetzung von Väterkarenz vorherrschen und somit eine familienfreundliche Unternehmenspolitik einen positiven Einfluss auf den Umgang mit Vätern in Betrieben hat. Vor allem die weiblichen Personalleiterinnen und Geschäftsführerinnen von ‚frauen- und familienfreundlichen’ Unternehmen können als Vorreiter für die Anliegen der Väter betrachtet werden. Hingegen sind positive Veränderungen und eine Unterstützung von Vätern, welche für eine gewisse Zeit in Karenz gehen wollen, am wenigsten von eher älteren Geschäftsführern von Unternehmen ohne ausgewiesenen ‚frauen- und familienfreundlichen’ Maßnahmen zu erwarten. Die Ergebnisse der Untersuchung verdeutlichen, dass auf wirtschaftlicher Ebene bzw. auf Ebene der Unternehmen ein großes Defizit bezüglich einer Vereinbarkeit von Beruf und Familie für Väter herrscht. Für eine Verbesserung dieser Situation wären eine Sensibilisierung der Führungskräfte, sodass Karenzväter in Zukunft einen Rückhalt in der Unternehmungsleitung finden, und bewusstseinsbildende Maßnahmen nötig, um den betrieblichen Nutzen einer Väterkarenz stärker hervorzustreichen. Weiters bedarf es dafür in Zukunft vermehrt praktikabler Maßnahmen zur bewussten Umsetzung väterfreundlicher Personalpolitik. Die Gründe für die niedrige Väterkarenzquote dürfen allerdings nicht allein bei der geringen Unterstützungsbereitschaft von Seiten der Unternehmen gesucht werden. Neben der betrieblichen spielt auch die gesellschaftspolitische Ebene eine bedeutende Rolle. Viele Männer wollen in Karenz gehen, setzen diesen Wunsch aber nicht in die Tat um. Sie scheitern an praktischen, sozialen und an ökonomischen Hürden. Damit Kinderbetreuung für Väter eine Selbstverständlichkeit wird bzw. werden kann, bedarf es einer Sensibilisierung der Gesellschaft, und auch die politischen Entscheidungsträger sind gefordert, flankierende Maßnahmen (wie z.B. Verringerung der finanziellen Einbußen durch eine Karenzierung, ausreichendes Angebot an Kinderbetreuungsplätzen) für eine Verbesserung der Vereinbarkeit von Beruf und Familie zu setzen.

The ownership of German corporations is quite different today from that of Anglo-American firms. How did this come about? To what extent is it attributable to regulation? A specially constructed data set on financing and ownership of German corporations from the end of the 19th century reveals that, as in the UK, there was a high degree of activity on German stock markets with firms issuing equity in preference to borrowing from banks, and insider and family ownership declining rapidly. However, unlike in the UK, other companies and banks emerged as the main holders of equity, with banks holding shares primarily as custodians of other investors rather than on their own account. The changing pattern of ownership concentration was therefore very different from that of the UK with regulation reinforcing the control that banks exercised on behalf of other investors.

The ownership of German corporations is quite different today from that of Anglo-American firms. How did this come about? To what extent is it attributable to regulation? A specially constructed data set on financing and ownership of German corporations from the end of the 19th century reveals that, as in the UK, there was a high degree of activity on German stock markets with firms issuing equity in preference to borrowing from banks, and insider and family ownership declining rapidly. However, unlike in the UK, other companies and banks emerged as the main holders of equity, with banks holding shares primarily as custodians of other investors rather than on their own account. The changing pattern of ownership concentration was therefore very different from that of the UK with regulation reinforcing the control that banks exercised on behalf of other investors.

Advanced solar cell architectures like passivated emitter and rear (PERC) and heterojunction with intrinsic thin layer (HIT) are increasingly sensitive to bulk recombination. Present device models consider homogeneous bulk lifetime, which does not accurately reflect the effects of heterogeneously distributed defects. To determine the efficiency potential of multicrystalline silicon (mc-Si) in next-generation architectures, we present a higher-dimensional numerical simulation study of the impacts of structural defects on solar cell performance. We simulate these defects as an interfacial density of traps with a single mid-gap energy level using Shockley-Read-Hall (SRH) statistics. To account for enhanced recombination at the structural defects, we apply a linear scaling to the majority-carrier capture cross-section and scale the minority-carrier capture cross-section with the inverse of the line density of traps. At 300 K, our simulations of carrier occupation and recombination rate match literature electron-beam-induced current (EBIC) data and first-principles calculations of carrier capture, emission, and recombination for all the energy levels associated with dislocations decorated with metal impurities. We implement our model in Sentaurus Device, determining the losses across different device architectures for varying impurity decoration of grain boundaries.

We couple numerical process and device simulations to provide a framework for understanding the combined effects of as-grown wafer impurity distribution, processing parameters, and solar cell architecture. For this study, we added the Impurity-to-Efficiency simulator to Synopsys’ Sentaurus Process software using the Alagator Scripting Language. Our results quantify how advanced processing can eliminate differences in efficiency due to different as-grown impurity concentrations and due to different area fractions of defective wafer regions. We identify combinations of as-grown impurity distributions and process parameters that produce solar cells limited by point defects and those that are limited by precipitated impurities. Gettering targeted at either point defect or precipitate reduction can then be designed and applied to increase cell efficiency. We also visualize the post-processing iron and total recombination distributions in 2D maps of the wafer cross-section. PV researchers and companies can input their initial iron distributions and processing parameters into our software and couple the resulting process simulation results with a solar cell device design of interest to conduct their own analyses. The Alagator scripts we developed are freely available online at http://pv.mit.edu/impurity-to-efficiency-i2e-simulator-for-sentaurus-tcad/., National Science Foundation (U.S.) (Grant EEC-1041895), United States. Dept. of Energy (Award DE-EE0006335), American Society for Engineering Education. National Defense Science and Engineering Graduate Fellowship, Alexander von Humboldt Foundation (Feodor Lynen Research Fellowship)

We present a numerical simulation study of different multicrystalline silicon materials and solar cell architectures to understand today's efficiency limitations and future efficiency possibilities. We compare conventional full-area BSF and PERC solar cells to future cell designs with a gallium phosphide heteroemitter. For all designs, mc-Si materials with different excess carrier lifetime distributions are used as simulation input parameters to capture a broad range of materials. The results show that conventional solar cell designs are sufficient for generalized mean lifetimes between 40 – 90 μs, but do not give a clear advantage in terms of efficiency for higher mean lifetime mc-Si material because they are often limited by recombination in the phosphorus diffused emitter region. Heteroemitter designs instead increase in cell efficiency considerable up to generalized mean lifetimes of 380 μs because they are significantly less limited by recombination in the emitter and the bulk lifetime becomes more important. In conclusion, to benefit from increasing mc-Si lifetime, new cell designs, especially heteroemitter, are desirable., United States. Department of Energy. Office of Energy Efficiency and Renewable Energy (Award DE-EE0006335), Australian Renewable Energy Agency (Postdoctoral Fellowship)

Advanced solar cell architectures like passivated emitter and rear (PERC) and heterojunction with intrinsic thin layer (HIT) are increasingly sensitive to bulk recombination. Present device models consider homogeneous bulk lifetime, which does not accurately reflect the effects of heterogeneously distributed defects. To determine the efficiency potential of multicrystalline silicon (mc-Si) in next-generation architectures, we present a higher-dimensional numerical simulation study of the impacts of structural defects on solar cell performance. We simulate these defects as an interfacial density of traps with a single mid-gap energy level using Shockley-Read-Hall (SRH) statistics. To account for enhanced recombination at the structural defects, we apply a linear scaling to the majority-carrier capture cross-section and scale the minority-carrier capture cross-section with the inverse of the line density of traps. At 300 K, our simulations of carrier occupation and recombination rate match literature electron-beam-induced current (EBIC) data and first-principles calculations of carrier capture, emission, and recombination for all the energy levels associated with dislocations decorated with metal impurities. We implement our model in Sentaurus Device, determining the losses across different device architectures for varying impurity decoration of grain boundaries., American Society for Engineering Education. National Defense Science and Engineering Graduate Fellowship, National Science Foundation (U.S.). Engineering Research Centers Program (Cooperative Agreement EEC-1041895)