Search

Los cristales fotónicos son estructuras dieléctricas los cuales permiten el control de la propagación de la luz. En este trabajo presentamos los resultados teóricos referentes a las estructura de bandas fotónicas en cristales con patrones de periodicidad en una y dos dimensiones. Las propiedades ópticas de los cristales fotónicos se investigan solucionando las ecuaciones de Maxwell a través de métodos teóricos como matriz de transferencia, expansión en ondas planas y expansión en modos guiados. El mé\-todo de la matriz de transferencia es usado para el cálculo del espectro de transmitancia en cristales fotónicos unidimensionales, mientras que el método de expansión en ondas planas es formulado para el cálculo de la estructura de bandas fotónica en cristales fotónicos unidimensionales y bidimensionales. Al asumir la dependencia con la presión hidrostática y temperatura de la constante dieléctrica del material semiconductor constituyente del cristal; los resultados obtenidos revelan que la sintonización de la estructura de bandas es debido principalmente a la presión hidrostática en lugar de la temperatura. El método de expansión en modos guiados es usado para el cálculo de la estructura de bandas fotónica en un slab fotónico donde el confinamiento de la luz es en las tres direcciones espaciales. En particular, abordamos el problema de la determinación del factor de calidad en slabs fotónicos con cavidades L1 y L3, donde se muestra un decrecimiento del factor de calidad con el incremento en la presión hidrostática. (Texto tomado de la fuente) Photonic crystals are dielectric structures that allow the control of light propagation. We present theoretical results concerning the photonic band structure in crystals with periodicity patterns in one and two dimensions. The optical properties of photonic crystals are investigated by solving Maxwell's equations through theoretical methods such as transfer matrix, plane-wave expansion, and guided-mode expansion. The transfer matrix method is used for the calculation of the transmittance spectrum in one-dimensional photonic crystals. In contrast, the plane-wave expansion method is formulated for the calculation of the photonic band structure in one- and two-dimensional photonic crystals. By assuming the dependence on hydrostatic pressure and temperature of the dielectric constant of the semiconductor material constituent of the crystal, the results obtained reveal that the tuning of the band structure is mainly due to hydrostatic pressure rather than temperature. The guided mode expansion method is used for the calculation of the photonic band structure in a photonic slab where the confinement of light is in all three spatial directions. In particular, we address the problem of determining the quality factor in photonic slabs with L1 and L3 cavities, where a decrease of the quality factor with increasing hydrostatic pressure is shown. Doctorado Cristales fotónicos

Using dyadic representations elaborated from vectors of Jones, and calculating relations of anti-commutation of these tensorial forms, we obtain in shape explicit the Pauli spin matrices., 4 pages

Resumen En el presente trabajo calculamos la dependencia con la temperatura de los modos localizados en espectro de transmitancia para un Cristal fotónico unidimensional con dos defectos. La estructura considerada está formada por materiales de TiO2 y SiO2. Haciendo uso del método de transferencia matricial para el caso de polarización TE con incidencia normal, se encuentra la presencia de dos modos defecto alrededor de la longitud de onda del diseño λ0. Al tener en cuenta la dependencia con la temperatura del índice de refracción y de los espesores del cristal, se muestra un corrimiento a longitudes de onda largas de los modos defecto a medida que se incrementa la temperatura. Abstract In the present work we calculate the dependence with the temperature of the modes located in the transmittance spectrum for a one-dimensional photonic crystal with two defects. The structure in question is composed of materials of TiO2 and SiO2 Making use of transfer matrix method for the TE polarization case with a normal incidence, we find the presence of two defect modes around the design wavelength λ0. By taking into account the dependence on the temperature of the refractive index and the thickness of the crystal, a shift to long wavelengths of the defect modes is shown as the temperature increased.

El artículo propone estudiar la propagación de los campos electromagnéticos a través de la mitocondria. Se presenta un modelo simplificado de la mitocondria como un sistema periódico de multicapas de índices de refracción alternantes. Mediante el método de transferencia matricial se calcula la dependencia, la reflectancia y transmitancia en función de la longitud de onda del campo electromagnético incidente. Se observa la existencia de una región de longitudes de onda (o frecuencia prohibidas) en la cual no existe propagación de los campos a través del sistema, esto corresponde a una reflectancia máxima R=1. The article aims to study the propagation of electromagnetic fields through the mitochondria. We present a simplified model of the mitochondrion as a periodic multilayer of alternating refractive indices. Using the transfer matrix method calculates dependence reflectance and transmittance versus wavelength of incident electromagnetic field. Observe the existence of a wavelength region (or prohibited frequency) in which there is no spread of the fields through the system, this corresponds to a maximum reflectance R = 1. O artigo tem como objetivo estudar a propagação de campos eletromagnéticos através das mitocôndrias. Nós apresentamos um modelo simplificado da mitocôndria como uma multicamada periódica de alternância de índices de refração. Utilizando o método de matriz de transferência calcula reflectância dependência e transmitância contra o comprimento de onda de campo eletromagnético incidente. Note-se a existência de uma região de comprimento de onda (ou frequência proibida) em que não há nenhuma propagação dos campos através do sistema, isto corresponde a um máximo de reflectância R = 1.