Author: "Plana, Robert" / Database: OpenAIRE - Searchworks@Jio Institute Digital Library Search Results

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67 results on '"Plana, Robert"'

1. Requirements Engineering enabled by Natural Language Processing and Artiﬁcial Intelligence for Nuclear Safety Demonstration

Author: ROUMILI, Emir, BOSSU, Jean-François, Chapurlat, Vincent, Daclin, Nicolas, IANCHERUK, Aleksei, PLANA, Robert, Tixier, Jérôme, Ingénierie des Systèmes et des Organisations pour les Activités à Risque (ISOAR), Laboratoire de Génie Informatique et d'Ingénierie de Production (LGI2P), IMT - MINES ALES (IMT - MINES ALES), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-IMT - MINES ALES (IMT - MINES ALES), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Laboratoire des Sciences des Risques (LSR), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Assystem France, Etude des Risques et de la Qualité de l’air (EUREQUA), and Laboratoire de Génie de l'Environnement Industriel et des Risques Industriels et Naturels (LGEI)
Subjects: [SPI]Engineering Sciences [physics]
Abstract: International audience; This article reports on a new method to elaborate and conduct the safety demonstration phase for Nuclear infrastructures in phase with System Engineering principles. More particularly, this method focus on helping and guiding engineers involved in nuclear safety demonstration into a better assessment considering the increasing complexity and the expectations from the licensing owner who has to accommodate for any new nuclear project. As a ﬁrst part of this method, this article claims that MBSE coupled to Natural Language Processing (NLP) and Artiﬁcial Intelligence (AI) is facilitating the Nuclear safety demonstration process and allowing to early prevent for any issues the project may face during the design, construction, commissioning and exploitation phases.
Published: 2020

2. Pour une politique industrielle du numérique

Author: ROUCAIROL, Gérard, BITARD, Pierre, ANDRY, François, BANTEGNIES, Eric, BOLIGNANO, Dominique, BORDES, Alain, BOURGUIGNON, Philippe, CHEVREUIL, Martial, CHINESTA, Francisco, DERRAS, Mustapha, DEVAUCHELLE, Guillaume, FILIPOWICZ, Alain, KAMOULAKOS, Argiris, KAYVANTASH, Kambiz, KIRCHNER, Claude, LAUMOND, Jean-Paul, LAVIGNON, Jean-François, LAVOCAT, Philippe, LE GALL, Olivier, LE PAPE, Claude, PALYCHATA, Thomas, PICORY, Christian, PLANA, Robert, REQUENA, Stephane, ZNATY, Elie, Conventions industrielles de formation par la recherche (Association Nationale Recherche Technologie) (CIFRE), Philips, Engineering Simulation & 3-D Design Software, Partenaires INRAE, Facebook, ENGIE, EGIS, Ecole Centrale Paris, Berger-Levrault, VALEO, Continental Digital Services in France, ESI Group, CADLM, Inria Siège, Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique (Inria), Équipe Mouvement des Systèmes Anthropomorphes (LAAS-GEPETTO), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, TS-JFL, GENCI, Biologie du fruit et pathologie (BFP), Université Bordeaux Segalen - Bordeaux 2-Institut National de la Recherche Agronomique (INRA)-Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1, Institut National de Recherche pour l’Agriculture, l’Alimentation et l’Environnement (INRAE), Schneider Electric, Institut Mines Télécom (IMT), Assystem France, Bertin Technologies, ANRT, Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Université Bordeaux Segalen - Bordeaux 2-Institut National de la Recherche Agronomique (INRA)-Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB), Schneider Electric ( SE), and Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
Subjects: [SHS.INFO]Humanities and Social Sciences/Library and information sciences
Published: 2018

3. Alstom's Innovation policy

Author: Plana, Robert
Published: 2014
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4. Open Innovation : A strategic Pillar in a Global Economical context BEE Week, Bordeaux November 8th 2014

Author: Plana, Robert
Published: 2014
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5. Towards Integrated Electric and Natural Gas Infrastructures

Author: Plana, Robert
Published: 2014
Full Text: View/download PDF

6. Conception d'un Amplificateur de Puissance Lineaire et à Fort Gain en Technologie CMOS 65nm pour les Applications WPAN à 60GHz

Author: Aloui, Sofiane, Leite, Bernardo, Kerhervé, Eric, Plana, Robert, Belot, Didier, Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), STMicroelectronics, Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées
Subjects: ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract: National audience
Published: 2013

7. Optimization of 65nm CMOS passive devices to design a 16 dBm-Psat 60 GHz power amplifier

Author: Aloui, Sofiane, Leite, Bernardo, Demirel, Nejdat, Plana, Robert, Belot, Didier, Kerhervé, Eric, Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, STMicroelectronics, Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)
Subjects: [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract: International audience; The optimization of passive devices is performed to contribute to the design of a linear 60 GHz Power Amplifier (PA). The difficulty in this design consists in the use of thin digital 7 metal layers (1P7M) Back End of Line (BEOL) and Low Power (LP) transistors dedicated for pure digital applications. In this context, compact inductors and Transmission lines (T-lines) are analyzed, measured and compared at millimeter-Wave (mmW) frequencies. Moreover, a technique of Common Mode Rejection Ration (CMRR) improvement applied for baluns is presented and validated with measurements. A Parallel PA that combines 8 high-efficiency unit power cells is designed using 65nm CMOS technology from STMicroelectronics. The experimental results show a saturated output power (Psat) of 16 dBm with a 14 dBm 1dB-output compression point (OCP1dB).
Published: 2013

8. Optimized power combining technique to design a 20dB gain, 13.5dBm OCP1dB 60GHz Power Amplifier using 65nm CMOS Technology

Author: Aloui, Sofiane, Luque, Yohann, Demirel, Nejdat, Leite, Bernardo, Plana, Robert, Belot, Didier, Kerhervé, Eric, Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)
Subjects: [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract: International audience; Millimeter-wave Distributed Active Transformer (DAT), baluns and zero degree 1−4 splitter have been optimized to design a 60 GHz parallel Power Amplifier (PA). The implementation is based on a thin digital 7 metal layers (1P7M) Back End of Line (BEOL) and Low Power (LP) transistors in 65 nm CMOS technology from STMicroelectronics. A lumped model based analysis is presented to compare pure voltage and mixed voltage and current combining techniques. Simulated and measured results are reported. At 61 GHz, the PA achieves a peak power gain of 20 dB with a 13.5 dBm 1dB-output compression point (OCP1dB), 15.6 dBm output power and a Power Added Efficiency (PAE) of 6.6% from a 1.2 V supply. To the author's knowledge, these results represent the highest linear output power and gain performances among PAs using the same technology
Published: 2012

9. Effect of deposition reactive gas ratio, RF power and substrate temperature on the charging/discharging processes in PECVD silicon nitride films based on induced surface potential and adhesive force measurements using atomic force microscopy

Author: Zaghloul, Heiba, Papaioannou, George, Bhushan, Bharat, Wang, Haixia, Coccetti, Fabio, Pons, Patrick, Plana, Robert, Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Department of Informatics and Telecomunications [Kapodistrian Univ] (DI NKUA), National and Kapodistrian University of Athens (NKUA), Nanoprobe Laboratory for Bio- and Nanotechnology and Biomimetics, Ohio State University [Columbus] (OSU), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), and Université de Toulouse (UT)
Subjects: reliability, silicon nitride, force-distance curve (FDC), electrostatic microelectromechanical systems (MEMS), RF MEMS switch, Adhesive force, dielectric charging, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Kelvin probe force microscopy (KPFM)
Abstract: International audience; The dependence of the electrical properties of silicon nitride, which is a commonly used dielectric in nanoand micro-electromechanical systems (NEMS and MEMS), on the deposition conditions used to prepare it and, consequently, on material stoichiometry has not been fully understood. In this paper, the influence of plasma-enhanced chemical vapor deposition conditions on the dielectric charging of SiNx films is investigated. The work targets mainly the dielectriccharging phenomenon which constitutes a major failure mechanism in electrostatically driven NEMS/MEMS devices and particularly in capacitive MEMS switches. The charging/discharging processes are studied using two nanoscale characterization techniques: Kelvin probe force microscopy (KPFM) and, for the first time, force-distance curve (FDC) measurements. KPFM is used to investigate dielectric charging at the level of a single asperity, while FDC is employed to measure the multiphysics coupling between the charging phenomenon and tribological issues, mainly meniscus force. The electrical properties of the SiNx films obtained from both techniques show a very good correlation. X-ray photoelectron spectroscopy and Fourier transform infrared spectroscopy material characterization techniques are also used to determine the compositions and chemical bonds, respectively, of the SiNx films. An attempt to correlate between the chemical and electrical properties of SiNx films is made.
Published: 2011

10. Make carbon nanotube-PMMA composite thin: application to water quality

Author: Villeneuve-Faure, Christina, Pacchini, Sébastien, Dilhan, Monique, Colin, David, Brouzes, A., Plana, Robert, Boulanger, P., Diélectriques Solides et Fiabilité (LAPLACE-DSF), LAboratoire PLasma et Conversion d'Energie (LAPLACE), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique (LAAS-TEAM), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole)
Subjects: [SPI.FLUID]Engineering Sciences [physics]/Reactive fluid environment, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: International audience
Published: 2011

11. Carbon nanotube-PMMA composite thin: application to water quality

Author: Villeneuve-Faure, Christina, Pacchini, Sébastien, Baillieux, Jean, Dilhan, Monique, Colin, David, Brouzes, A., Plana, Robert, Boulanger, P., Diélectriques Solides et Fiabilité (LAPLACE-DSF), LAboratoire PLasma et Conversion d'Energie (LAPLACE), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT), Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique (LAAS-TEAM), CEA- Saclay (CEA), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), and Marchand, Emilie
Subjects: [SPI.FLUID]Engineering Sciences [physics]/Reactive fluid environment, [SPI.FLUID] Engineering Sciences [physics]/Reactive fluid environment, [SPI.MAT] Engineering Sciences [physics]/Materials, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials
Abstract: National audience
Published: 2011

12. Novel micromachined lumped band pass filter for 5.2 GHz WLAN applications

Author: Muller, Andrei, Neculoiu, Dan, Cismaru, Alina, Pons, Patrick, Plana, Robert, Dascalu, Dan, Muller, Alexandru, IMT Bucharest, IMT, Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées
Subjects: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract: International audience; This paper describes the design, manufacturing and experiments of a lumped element band pass filter in a new topology. The design starts from a second order capacitive coupled resonator topology. An additional series inductor is inserted in the filter classical topology, for shifting two transmission zeros on the real frequency axes in the filter's band stop, to improve the high frequency response. Design equations for the new band stop resonance frequency are presented together with the analysis of the correspondence between the band pass and band stop attenuation vs. the quality factor of the shunt and series inductors used. The filter is supported on a 6.4 m thin dielectric membrane, and is manufactured using silicon micromachining, in CPW technology. Measurements illustrated a minimum 2.75 dB insertion loss at 5.5 GHz in the band pass, and more than 40 dB attenuation, at 8 GHz.
Published: 2011

13. On the Impact of Relative Humidity and Environment Gases on Dielectric Charging Process in Capacitive RF MEMS Switches Based on Kelvin Probe Force Microscopy

Author: Zaghloul, Heiba, Bhushan, Bharat, Pons, Patrick, Papaioannou, George, Coccetti, Fabio, Plana, Robert, Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Nanoprobe Laboratory for Bio- and Nanotechnology and Biomimetics, Ohio State University [Columbus] (OSU), Department of Informatics and Telecomunications [Kapodistrian Univ] (DI NKUA), National and Kapodistrian University of Athens (NKUA), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées
Subjects: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract: International audience; Dielectric charging is among the major reliability issues that have prevented the commercialization of RF-MEMS Capacitive switches in spite of the extensive study performed on the topic. Moreover, a little work has been performed to study the effect of the relative humidity (RH) and environment gases on the dielectric charging process. In this work we present the effect of RH and the environment gases on the charging/discharging processes in PECVD silicon nitride films based on Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM) methodology. The measurements have been performed in ambient air and under N2 flow, both under different RH levels (from 6% to 40% RH). In addition, the influence of the dielectric film thickness, SiN deposition conditions and the substrate nature on the charging process have been investigated under different environment conditions. This has been done through depositing SiN films with different thicknesses ranges from 100nm to 400nm over bare silicon substrates and over evaporated Au layers and using both Low Frequency(LF) and High Frequency(HF) PECVD deposition modes.
Published: 2010

14. Multi-physical characterization of micro-contact materials for MEMS switches

Author: Broué, Adrien, Dhennin, J., Charvet, Pierre-Louis, Pons, Patrick, Ben Jemaa, N., Coccetti, Fabio, Plana, Robert, NOVAMEMS, NOVAMENS, Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), NovaMEMS, Incubateur Midi-Pyrénées-Oseo-Région Midi-Pyrénées-ANRT-Ministère de l'industrie-THALES Security Systems-EPSILON, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université de Rennes 1 (UR1), and Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract: International audience; A systematic comparison between several pairs of contact materials based on an innovative methodology early developed at NOVA MEMS is hereby presented. The technique exploits a commercial nanoindenter coupled with electrical measurements, and test vehicles specially designed in order to investigate the underlying physics driving the surface-related failure modes. The study provides a comprehensive understanding of micro-contact behavior with respect to the impact of low- to medium levels of electrical current. The decrease of the contact resistance, when the contact force increases, is measured for contact pairs of soft material (Au/Au contact), harder materials (Ru/Ru and Rh/Rh contacts) and mixed configuration (Au/Ru and Au/Ni contacts). The contact temperatures have been calculated and compared to the theoretical values of softening temperature for each couple of contact materials. This threshold temperature is reached for gold, ruthenium and rhodium material, with different levels of current intensity. In spite of that, no oftening behavior has been observed for mixed contact at the theoretical softening temperature of both materials. Hence, considering the sensitivity to power handling and the related failure echanisms, namely the contact adhesion, the enhanced resilience of the bimetallic contacts Au/Ru and Au/Ni was demonstrated. Finally focusing on the temperature distribution around the hottest levels on the surface contact interface, these results have been theoretically investigated.
Published: 2010

15. Conduction Modes in Si3N4 Capacitive RF-MEMS

Author: Blondy, Pierre, Mardivirin, David, Courrèges, Stanis, Pothier, Arnaud, Crunteanu, Aurelian, Coccetti, Fabio, Plana, Robert, MINACOM, XLIM (XLIM), Université de Limoges (UNILIM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Limoges (UNILIM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), and Université de Toulouse (UT)
Subjects: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2010

16. 3D Heterogeneous Integration of Wireless Communicating Nano-Sensors on Flexible Substrate

Author: Jatlaoui, Mohamed Mehdi, Dragomirescu, Daniela, Charlot, Samuel, Pons, Patrick, Aubert, Hervé, Plana, Robert, Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, NanoComm, Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), and Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique (LAAS-TEAM)
Subjects: 3D Heterogeneous Integration, Nano-Objects, Flex Assembly, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Wireless sensor networks, Flexible Substrate
Abstract: International audience; In this communication, the 3D heterogeneous integration of miniaturized communicating modules used for wireless network application is described. These communicating objects present the particularity of being in Nano-scale range. In fact, each object is composed of Nano-sensors, transceivers and E/R antenna. Such investigated ways of Nano-system integration will allow the development of sensor communicating modules which can be inserted and located in areas with access difficulty (in particular in non planar area) or even in inaccessible places. This attractive integration concept is discussed and illustrated here.
Published: 2010

17. Successive conduction modes in Si3N4 capacitive RF-MEMS

Author: Mardivirin, David, Courrèges, Stanis, Blondy, Pierre, Pothier, Arnaud, Coccetti, Fabio, Plana, Robert, MINACOM, XLIM (XLIM), Université de Limoges (UNILIM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Limoges (UNILIM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)
Subjects: ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2010

18. Low Power Ultra Wideband Up-conversion Mixer in CMOS 0,13 µm Technology

Author: Kara Omar, Ali, Dragomirescu, Daniela, Coustou, Anthony, Plana, Robert, Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, LAAS-II, Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), and Université de Toulouse (UT)
Subjects: Up-conversion mixer, Ultra Wide Band, low power, CMOS 130nm, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract: International audience; This paper presents a low power, UWB up-conversion mixer, designed on CMOS 0.13 µm technology. This circuit is based on a double balanced Gilbert topology, which uses a feedback loop in its transconductance stage; in order to match the IF input impedance over a 10-510 MHz frequency range. This mixer exhibits a 0 dB conversion gain, a 7 dB noise factor, a DC power in the range of 4.2 mW and can output an RF signal over the 6-8.5 GHz frequency range.
Published: 2010

19. Développement d'un Réseau de Capteurs pour des Applications Aérospatiales : Topologie Réseau et Interface Radio

Author: Henaut, Julien, Dragomirescu, Daniela, Plana, Robert, Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées
Subjects: [INFO.INFO-NI]Computer Science [cs]/Networking and Internet Architecture [cs.NI], [INFO.INFO-TS]Computer Science [cs]/Signal and Image Processing, [SPI.SIGNAL]Engineering Sciences [physics]/Signal and Image processing, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract: Ce travail vise à étudier et à développer des interfaces radio pour le développement de nouveaux réseaux de capteurs sans fils pour le secteur des essais aéronautiques et spatiaux. Il est démontré, notamment par plusieurs campagnes de mesure en conditions réelles, que le choix de la modulation MB-OFDM associé à une architecture réseau de type arbre permet de répondre aux spécifications. Le développement d'interfaces simplifiées et spécifiques sur FPGA permettent d'obtenir des débits de l'ordre de 100 Mbits/s
Published: 2010

20. A Largely Reconfigurable Impulse Radio UWB Transceiver

Author: Lecointre, Aubin, Dragomirescu, Daniela, Plana, Robert, Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées
Subjects: [INFO.INFO-NI]Computer Science [cs]/Networking and Internet Architecture [cs.NI], ComputerSystemsOrganization_COMPUTER-COMMUNICATIONNETWORKS, Data_CODINGANDINFORMATIONTHEORY, Impulse Radio Ultra Wide Band, Transceiver, Reconfiguability, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract: International audience; This letter presents a new and efficient digital baseband architecture for impulse radio ultra wideband (IR-UWB) transceivers with reconfigurable capacities for wireless sensor network (WSN) applications. An implementation is done on FPGA for validation by measurements. It achieves the highest data rate and the largest number of operating modes for an IR-UWB reconfigurable transceiver, to the best of the author's knowledge. Measurements demonstrate reconfigurability in data rate (from 4 to 125 MBits/s), chip duration (from 8 to 32 ns), pulse duration (from 1 to 4 ns), bit duration (from 8 to 256 ns), processing gain (from 1 to 8 pulses/bit), occupied bandwidth, radio range, BER performance, synchronization accuracy (from 0.5 to 4 ns), pulse amplitude, transmitted power density, duty cycle (from 3 to 50 %), power consumption, spectrum occupation, and maximum supported UWB channel delay spread (from 4 to 31 ns).
Published: 2010

21. Characterization Methodology of a Millimeter-Wave 65nm CMOS PA Dedicated to 60GHz WPAN Standard

Author: Aloui, Sofiane, Kerherve, Eric, Plana, Robert, Belot, Didier, Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées
Subjects: CMOS PA, Characterization, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, 60GHz WPAN
Abstract: International audience; A millimeter-wave Power Amplifier PA based on a 65nm CMOS technology from STMicroelectronics has been designed. The PA is considered here as a model depicted by a black box. The targeted feature is the unlicensed band around 60GHz suitable for Wireless Personal Area Network application (WPAN). Considering that constraints, one-tone simulations are not sufficient to characterize the linearity performances of the PA in its real conditions of use. Consequently, the high frequency memory effect is firstly highlighted by performing two-tone simulations. Linearity figures of merit are discussed applying an OFDM (Orthogonal Frequency Devising Multiplexing) modulated signal. To characterize that, co-simulations in PTOLEMY environment are performed.
Published: 2010

22. Chapitre Tuners and Filter

Author: Lucyszyn, S., Elata, D., Leus, V., Lisec, T., Pranonsatit, S., Choi, J.Y., Holmes, A., De Wolf, I., Papaioannou, G., Fillit, R.Y., Fortunier, R., Coccetti, Fabio, Plana, Robert, Tilmans, H., Jourdain, A., De Moor, P., Pothier, Arnaud, Vaha-Heikkila, T., Dussopt, L., Bouchaud, J., Sorrentino, R., Knoblich, B., Centre Science des Matériaux et des Structures (SMS-ENSMSE), École des Mines de Saint-Étienne (Mines Saint-Étienne MSE), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), MINACOM, XLIM (XLIM), Université de Limoges (UNILIM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Limoges (UNILIM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Stepan Lucyszyn, Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées
Published: 2010

23. Frequency Scalable Model for MEMS Capacitive Shunt Switches at Millimeter Wave Frequencies

Author: Puyal, Vincent, Dragomirescu, Daniela, Villeneuve-Faure, Christina, Ruan, Jinyu Jason, Pons, Patrick, Plana, Robert, Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), and Université de Toulouse (UT)
Subjects: Shunt Switches, Capacitive, Hardware_GENERAL, Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS, Modeling, Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY, Phase Shifters, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, RF-MEMS
Abstract: International audience; This paper presents an approach to RF MEMS capacitive shunt switch design from K band up to W-band, based on the scalability of the RF MEMS switch with frequency. The parameters of the switch's equivalent circuit model also follow scaling rules. The measurement results of the fabricated switches show an excellent agreement with simulations which allow to validate the MEMS model in the entire band from 20 GHz up to 94 GHz. This model is going to be used in phase shifter circuit design for antenna array applications. First 60 GHz phase shifter results are also reported here.
Published: 2009

24. Performance Evaluation of Impluse Radio Ultra Wide Band Wireless Sensor Networks

Author: Lecointre, Aubin, Berthe, Abdoulaye, Dragomirescu, Daniela, Plana, Robert, Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées
Subjects: Computer Science - Networking and Internet Architecture, Networking and Internet Architecture (cs.NI), FOS: Computer and information sciences, [INFO.INFO-NI]Computer Science [cs]/Networking and Internet Architecture [cs.NI], ComputerSystemsOrganization_COMPUTER-COMMUNICATIONNETWORKS, Computer Science::Networking and Internet Architecture
Abstract: This paper presents a performance evaluation of Wireless Sensor Networks (WSN) based on Impulse Radio Ultra Wideband (IR-UWB) over a new simulation platform developed for this purpose. The simulation platform is built on an existing network simulator: Global Mobile Information System Simulator (GloMoSim). It mainly focuses on the accurately modeling of IR-UWB PHYsical (PHY) and Medium Access Control (MAC) layer. Pulse collision is modeled according to the used time hopping sequence (THS) and the pulse propagation delay in order to increase the simulation fidelity. It also includes a detection and identification application based on a new sensing channel and new sensor device models. The proposed architecture is generic so it can be reused for any simulation platform. The performance evaluation is based on one of the typical WSN applications: local area protection, where sensor nodes are densely scattered in an access regulated area in order to detect, identify and report non authorized accesses to a base station for analysis. Two networks topologies using different protocol stacks are investigated. Their performance evaluation is presented in terms of reliability and latency.
Published: 2009

25. Optimized Pad Design for Millimeter-Wave Applications with a 65nm CMOS RF Technology

Author: Aloui, Sofiane, Kerherve, Eric, Begueret, Jean-Baptiste, Plana, Robert, Belot, Didier, Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées
Subjects: CMOS 65nm, Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS, Millimeter-Wave Applications, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Pads
Abstract: International audience; Millimeter-wave pads based on a 65nm CMOS technology from STMicroelectronics have been designed and measured. A pad was optimized to minimize losses caused by a ground shield and by the conductive substrate. Modelling techniques and special cares to design a millimeter pad with a minimum of effects are highlighted. The goal is to integrate this pad in active devices such as a power amplifier (PA) or a low noise amplifier (LNA). The frequency response shows that the intrinsic capacitance of an optimum pad does not exceed 17fF at 60GHz. The aimed application is the unlicensed band around 60GHz suitable for Wireless Personal Area Network application (WPAN).
Published: 2009

26. A 64GHz Push-Push Oscillator in 0.13μm BiCMOS Technology

Author: Ameziane, Chama, Belot, Didier, Plana, Robert, Taris, Thierry, Deval, Yann, Begueret, Jean-Baptiste, Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)
Subjects: [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract: International audience; This paper reports the design and measurements of a 64GHz push-push oscillator fabricated in 0.13μm BiCMOS9mW technology provided by STMicroelectronics. It achieves -14dBm output power at 68GHz with good fundamental suppression. The VCO has a measured tuning range of 4GHz from 64GHz to 68GHz (fundamentally from 32GHz to 34GHz). The oscillator consumes 20mA, and the buffer has an additional consumption of 23mA, under 1.8V voltage supply.
Published: 2009

27. When new needs for satellite payloads meet with new filters architecture and technologies

Author: Leblond, Hervé, Villemazet, Jean-François, Cazaux, Jean-Louis, Pacaud, Damien, Herren, J.-J., Rigaudeau, Laëtitia, Lapierre, Luc, Baillargeat, Dominique, Blondy, Pierre, Bila, Stéphane, Verdeyme, Serge, Delage, Cyrille, Quendo, Cédric, Potelon, B., Rius, Eric, Seyfert, Fabien, Plana, Robert, Thales Alenia Space (TAS), THALES, Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES), MINACOM, XLIM (XLIM), Université de Limoges (UNILIM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Limoges (UNILIM)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de Transfert de Technologies Céramiques (CTTC), CTTC, Laboratoire des sciences et techniques de l'information, de la communication et de la connaissance (UMR 3192) (Lab-STICC), Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-Institut Brestois du Numérique et des Mathématiques (IBNM), Université de Brest (UBO)-Télécom Bretagne-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Analysis and Problems of Inverse type in Control and Signal processing (APICS), Inria Sophia Antipolis - Méditerranée (CRISAM), Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique (Inria)-Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique (Inria), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Thales Alenia Space [Toulouse] (TAS), THALES [France], Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Université de Bretagne Sud (UBS)-Université de Brest (UBO)-Télécom Bretagne-Institut Brestois du Numérique et des Mathématiques (IBNM), Université de Brest (UBO)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)
Abstract: International audience; To cope with the economical and technical demands of the market and to compete with terrestrial networks, satellite operators and manufacturers will need to upgrade their satellites and services. Nowadays, most of commercial satellite payloads are designed for a predetermined service and lack flexibility. Future communication satellites have to become more flexible and shall provide capacity at the lowest cost. The upcoming new needs lead to a major impact on the architecture at satellite payload level. RF and microwave filters are one of the most affected by the derived equipment specifications. The required out-of-band rejection close to the useful bandwidth will become more stringent (better than 40 dBc) while saving size and mass by more than 30% compared to the heavy mechanical cavities used today. Advanced technologies, like ceramic 3D stereolithography or surface integrated waveguide technology presented in this paper are very promising solutions to overcome these requirements. Moreover, tunable filters could be a relevant option to simplify payload architectures by giving more flexibility on the frequency plan and/or bandwidth. Today, agile filters are not available in space equipments but some new technologies presented in this paper, such as MEMS technologies or ceramic based flexible filters, have now the capability to comply with space environment constraints. Finally, new synthesis method techniques could help saving mass (by 30% or more) of future OMUX equipments.
Published: 2009

28. Deployment of CEM applications on large scale architectures

Author: Barrios-Hernandez, C.J., Khalil, Fadi, Denneulin, Yves, Aubert, Hervé, Coccetti, Fabio, Plana, Robert, Laboratoire d'Informatique, Signaux, et Systèmes de Sophia Antipolis (I3S), Université Nice Sophia Antipolis (... - 2019) (UNS), COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-COMUE Université Côte d'Azur (2015-2019) (COMUE UCA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Côte d'Azur (UCA), Laboratoire d'Informatique de Grenoble (LIG), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Pierre Mendès France - Grenoble 2 (UPMF)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Middleware efficiently scalable (MESCAL), Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Pierre Mendès France - Grenoble 2 (UPMF)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Pierre Mendès France - Grenoble 2 (UPMF)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Inria Grenoble - Rhône-Alpes, Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique (Inria)-Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique (Inria), Grid'5000, Université Nice Sophia Antipolis (1965 - 2019) (UNS), Université Pierre Mendès France - Grenoble 2 (UPMF)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), Inria Grenoble - Rhône-Alpes, Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique (Inria)-Institut National de Recherche en Informatique et en Automatique (Inria)-Laboratoire d'Informatique de Grenoble (LIG), and Université Pierre Mendès France - Grenoble 2 (UPMF)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Pierre Mendès France - Grenoble 2 (UPMF)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Subjects: [INFO.INFO-OH]Computer Science [cs]/Other [cs.OH], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: International audience
Published: 2009

29. DC CONTACT MODELING OF ELECTROSTATICALLY ACTUATED SWITCHES WITH LOW VOLTAGE

Author: Pennec, Fabienne, Peyrou, David, Leray, Dimitri, Villeneuve-Faure, Christina, Coustou, Anthony, Calmon, Pierre-François, Pons, Patrick, Plana, Robert, Courtade, Fréderic, Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Institut Clément Ader (ICA), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-IMT École nationale supérieure des Mines d'Albi-Carmaux (IMT Mines Albi), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Supérieur de l'Aéronautique et de l'Espace (ISAE-SUPAERO), LAAS-II, Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique (LAAS-TEAM), Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Institut Supérieur de l'Aéronautique et de l'Espace (ISAE-SUPAERO)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT École nationale supérieure des Mines d'Albi-Carmaux (IMT Mines Albi), and Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)
Subjects: ANSYS, contact resistance, DC contact MEMS switch, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, roughness
Abstract: 4; International audience; We have developed an original reverse engineering method for generating rough surfaces on ANSYS platform, by using the actual shape of the contact surface. We used this method to predict the real contact area between rough surfaces as a function of the applied force. The number of asperities in contact, their sizes and distribution allow us to discriminate the more appropriate electric contact model in diffusive and/or ballistic electron transport. The method is tested on RF MEMS switches with resistive contact and low actuation voltage. The simulated contact resistances are very close to the experimental resistance measurements and allow us to validate the numerical tool.
Published: 2009

30. VALIDATION OF BENDING TEST BY NANOINDENTATION FOR MICRO-CONTACT ANALYSIS OF RF-MEMS SWITCHES

Author: Broué, Adrien, Fourcade, Thibaut, Dhennin, Jérémie, Courtade, Frédéric, Dieppedale, Christel, Pons, Patrick, Lafontan, Xavier, Plana, Robert, NOVAMEMS, NOVAMENS, Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), NovaMEMS, Incubateur Midi-Pyrénées-Oseo-Région Midi-Pyrénées-ANRT-Ministère de l'industrie-THALES Security Systems-EPSILON, Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), INTESENS (INTESENS), INTESENS, Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)
Subjects: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract: International audience; This paper demonstrates the validity of a new methodology using a commercial nanoindenter coupled with electrical measurement on test vehicles specially designed to investigate the micro-scale contact physics. Dedicated validation tests and modelling are performed to assess the introduced methodology by analysing the response of gold contact with 5 µm² square bumps under various levels of current flowing through contact asperities. Contact temperature rising is measured leading to shifts of the mechanical properties of contact material and modifications of the contact topology. In addition, the data provide a better understanding of micro-contact behaviour related to the impact of current at low- to medium-power levels.
Published: 2009

31. Medium Access Control for Wireless Sensor Networks based on Impulse Radio Ultra Wideband

Author: Berthe, Abdoulaye, Lecointre, Aubin, Dragomirescu, Daniela, Plana, Robert, Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), and Université de Toulouse (UT)
Subjects: Computer Science - Networking and Internet Architecture, Networking and Internet Architecture (cs.NI), FOS: Computer and information sciences, [INFO.INFO-NI]Computer Science [cs]/Networking and Internet Architecture [cs.NI], ComputerSystemsOrganization_COMPUTER-COMMUNICATIONNETWORKS, Data_CODINGANDINFORMATIONTHEORY
Abstract: This paper describes a detailed performance evaluation of distributed Medium Access Control (MAC) protocols for Wireless Sensor Networks based on Impulse Radio Ultra Wideband (IR-UWB) Physical layer (PHY). Two main classes of Medium Access Control protocol have been considered: Slotted and UnSlotted with reliability. The reliability is based on Automatic Repeat ReQuest (ARQ). The performance evaluation is performed using a complete Wireless Sensor Networks (WSN) simulator built on the Global Mobile Information System Simulator (GloMoSim). The optimal operating parameters are first discussed for IR-UWB in terms of slot size, retransmission delay and the number of retransmission, then a comparison between IR-UWB and other transmission techniques in terms of reliability latency and power efficiency.
Published: 2009

32. Optimisation des PADs RF pour des Applications Millimétriques

Author: Aloui, Sofiane, Begueret, Jean-Baptiste, Belot, Didier, Kerherve, Eric, Plana, Robert, Taris, Thierry, Severino, Raffael, Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées
Subjects: PADs Millimétriques, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, Modelisarion
Abstract: International audience; Ce papier est dédié à l'optimisation des PADs en technologie CMOS-RF 65nm de STMicroelectronics. L'objectif est de les intégrer dans des circuits actifs tels que les amplificateurs de puissance (PA), les amplificateurs faible bruit (LNA) et les oscillateurs. Dans ce papier nous présentons les contraintes et les difficultés rencontrées lors de la conception de PADs pour des applications en bandes millimétriques au travers de résultats de mesure et de simulation.
Published: 2009

33. Amplificateur de Puissance à 79GHz pour Application Radar Automobile à Courte Portée

Author: Demirel, Nejdat, Kerhervé, Eric, Plana, Robert, Pache, Denis, Belot, Didier, IMS, Université de Bordeaux (UB), Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), ANR: RNRT VeLo,RNRT VeLo, Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, ANR-06-TCOM-0004,VeLo,Communication Inter Véhicules et Localisation relative Précise(2006), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)
Subjects: Amplificateur de Puissance, Radar Automobile, 79GHz, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract: International audience; Pour améliorer les solutions sur la sécurité dans les transports, des dispositifs radars entre véhicules sont en cours de développement. Cet article présente un amplificateur de puissance (PA) dédié aux radars automobiles à courte portée. L'amplificateur est complètement intégré sur silicium et sa fréquence de fonctionnement se situe à 79 GHz. Des co-simulations système viennent étayer ce travail de conception avec un émetteur radar UWB à modulation impulsionnelle intégrant le PA silicium. Il s'avère que la technologie silicium BiCMOS9mW de STMicroelectronics est très prometteuse pour les systèmes faibles coûts de radiocommunications en bande millimétrique.
Published: 2009

34. Simulations Electromagnétiques Distribuées sur une Grille de Calcul

Author: Khalil, Fadi, Barrios-Hernandez, Carlos Jaime, Aubert, Hervé, Denneulin, Yves, Coccetti, Fabio, Plana, Robert, Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), Laboratoire d'Informatique de Grenoble (LIG), Université Pierre Mendès France - Grenoble 2 (UPMF)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Grid'5000, Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, and Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Pierre Mendès France - Grenoble 2 (UPMF)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)
Subjects: [INFO.INFO-OH]Computer Science [cs]/Other [cs.OH], ComputingMilieux_MISCELLANEOUS
Abstract: National audience
Published: 2009

35. Interface radio IR-UWB reconfigurable pour les réseaux de microsystèmes communicants

Author: Lecointre, Aubin, Dragomirescu, Daniela, Plana, Robert, Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées
Subjects: [INFO.INFO-NI]Computer Science [cs]/Networking and Internet Architecture [cs.NI], [INFO.INFO-TS]Computer Science [cs]/Signal and Image Processing, [SPI.SIGNAL]Engineering Sciences [physics]/Signal and Image processing, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract: Ce travail montre les limites des solutions mono-bandes IR-UWB reconfigurables dans le contexte des réseaux de microsystèmes communicants. L'étude conjointe de l'architecture et de la capacité du canal sous contrainte de simplicité place le MB-IR-UWB comme solution plus performante. Il est montré que son optimisation et son dimensionnement sont limités par les contraintes d'implémentations et le canal UWB. Des premiers résultats de prototypes d'émetteurrécepteurs IR-UWB reconfigurables sur ASIC et FPGA sont présentés.
Published: 2009

36. FPGA Based High Data Rate Radio Interfaces for Aerospace Wireless Sensor Systems

Author: Henaut, Julien, Dragomirescu, Daniela, Plana, Robert, Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), and Université de Toulouse (UT)
Subjects: [INFO.INFO-NI]Computer Science [cs]/Networking and Internet Architecture [cs.NI], [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract: International audience; This paper gives an overview of development and prototyping of a radio interface designed for high data rate Wireless Sensor Networks (WSN) using a top down approach. An aerospace application of this work is presented to underline the importance of rapid and flexible prototyping. Single Carrier Frequency division multiple Access (SC-FDMA), with a very low Peak Average Power Ratio (PAPR), is a promising alternative to the OFDM scheme for highly power constraint applications, however, it is still not well explored. The chosen radio interface will be tested by means of Electronic System Level (ESL) synthesis and Field Programmable Gate Array (FPGA) prototyping. The ESL development is based on the tool "Synplify DSP", which allows quick prototyping and makes it possible to do real measurements, thus increasing the knowledge about the propagation channel to update the model and algorithm.
Published: 2009

37. RF MEMS electrical contact resistance calculation using mechanical contact simulations and analytical models

Author: Pennec, Fabienne, Peyrou, David, Broué, Adrien, Dhennin, Jérémie, Pons, Patrick, Plana, Robert, Courtade, Fréderic, Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), NovaMEMS, Incubateur Midi-Pyrénées-Oseo-Région Midi-Pyrénées-ANRT-Ministère de l'industrie-THALES Security Systems-EPSILON, Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées
Subjects: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract: The testing and development of contact material or topology can be addressed with a dedicated experimental set up for monitoring test structures. However, it is difficult to perform the tests under realistic conditions. Moreover several works have already been published about the different theories describing rough mechanical contact. But they often ignore interaction between asperities, bulk deformation or elastoplastic deformations. In order to tackle these issues advanced simulation tools are needed. These tools for finite element analysis allow us to model assembly structures quickly and accurately with a minimal amount of effort. We have developed an original reverse engineering method for generating rough surfaces on ANSYS platform, by using the actual shape of the contact surface.We used this method to predict the real contact area between rough surfaces as a function of the applied force using the augmented Lagrangian method. The number of asperities in contact, their sizes and their distribution allow us to discriminate the more appropriate electric contact model in diffusive or ballistic electron transport. MEM test structures with gold-to-gold electric contacts are fabricated and tested with an experimental set up in NovaMEMS/CNES lab and will allow to validate the new methodology. The contact resistance is monitored during all experiments, to correlate the mechanical and electrical behavior of the structure. The measurements are in progress. We can already expect to some discrepancies due to the difficulty to measure accurately contact material properties and to the potential contamination around the metal contact area. Yet this application is a major concern in RF MEMS ohmic switches and shows an original approach to extract a guideline in choosing a design, materials and process flow to minimize the contact resistance.
Published: 2009

38. Capacitive and resistive RF-MEMS switches 2.5D & 3D Electromagnetic and Circuit modelling

Author: Giacomozzi, Flavio, Colpo, S., Plana, Robert, Llamas Morote, Marco Antonio, Girbau Sala, David, Pausas, Esther, Pradell i Cara, Lluís, Aouba, Stephane, Villneuve, C., Puyal, Vincent, Pons, Patrick, Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions, and Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones
Subjects: Senyal, Teoria del (Telecomunicació), Signal theory (Telecommunication), Enginyeria de la telecomunicació [Àrees temàtiques de la UPC], Microwaves, RF MEMS (Radio frequency microelectromechanical systems)
Abstract: this paper proposes different strategies for the electrical modelling of capacitive and resistive RF-MEMS switches which take into account the dependence of the electrical performance on the mechanical properties and technological processes. The EM modelling of MEMS switches is addressed with 2.5D and 3D full wave EM softwares. More specifically, ADS-MomentumTM (2.5D) and EMDSTM (3D) from Agilent Technologies are used. Capacitive RF-MEMS switches were fabricated with the LAAS-CNRS 6-mask RF-MEMS process in Toulouse, France, and resistive RF-MEMS switches were fabricated with the FBK-irst 8-mask RF-MEMS process in Trento, Italy. It is shown that, by applying the proposed strategies, 2.5D and 3D simulations are in good agreement with characterization results.
Published: 2009
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39. 79GHz Push-Push Oscillators in 0.13µm SiGe BiCMOS Technology

Author: Ameziane, Chama, Taris, Thierry, Plana, Robert, Badets, Franck, Deval, Yann, Begueret, Jean-Baptiste, Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)
Subjects: [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract: This paper describes VCO designs based on varactor tuned Push-Push architecture. Two versions (powered under 1.2V and 1.8V) of the 79GHz oscillators have been designed in a 0.13µm SiGe BiCMOS technology, thus targeting automotive Radar and millimeter-wave applications. Their tuning ranges are respectively set on 6GHz (7.6%) and 7GHz (8.8%). The oscillator cores solely consume 18mW and 30mW, and both achieve low phase noise characteristics -102dBc/Hz at 1MHz offset from the carrier frequency (80GHz) and output powers of 18dBm and 0dBm respectively.
Published: 2008

40. Validation of simulation platform for modeling of RF MEMS contacts

Author: Pennec, Fabienne, Peyrou, David, Achkar, Hikmat, Pons, Patrick, Plana, Robert, Courtade, Frédéric, Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées
Subjects: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract: International audience; For the DC contact RF MEMS, it has been identified that most of the limitations are related to the quality and the repeatability of the contact that drive the RF performances and the reliability. In order to propose new generation of RF MEMS devices, it is important to get a deeper insight on the physic of contact in order to choose appropriate materials. As part of our study on the electrical contacts of RF MEMS micro switches, the need of multiphysics software offering a well developed solver to simulate many mechanical contact problems coupled with other physics, with a reduced time of calculation and good accuracy on the results is under investigation. As a first step, we need to validate the results of the numerical platforms existing in our laboratory. To do so, a static Hertz contact problem is simulated using ANSYS 10 and COMSOL 3.3 and we compared the results of the simulation with the analytical model. The second step consists of comparing the capabilities of each software to model interaction between objects and solve a variety of contact problems. Then we compare the facilities for the user to fit the contact parameters in the model in order to obtain an accurate solution of our problem. This study permits us to choose the software the most efficient for our application. The accuracy of ANSYS, the various methods available to solve the wide variety of contact problems and with a minimum effort from the user, makes of ANSYS's solver an excellent candidate to be used in our project. Especially, the real topography of the contact surfaces can be included in finite element simulations.
Published: 2008

41. A 60GHz, 13dBm Fully Integrated 65nm RF-CMOS Power Amplifier

Author: Aloui, Sofiane, Kerherve, Eric, Belot, Didier, Plana, Robert, Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), and Université de Toulouse (UT)
Subjects: WPAN, 65nm CMOS, Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS, 60GHz, power amplifier (PA), [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract: A 65nm CMOS, 60GHz fully integrated power amplifier (PA) from STMicroelectronics has been designed for low cost Wireless Personal Area Network (WPAN). It has been optimized to deliver the maximum linear output power (OCP1) without using parallel amplification topology. The simulated OCP1 is equal to 8.9 dBm with a gain of 8dB. To obtain good performances and consume an ultra compact area of silicon, the PA has been matched and optimized with a mixed technique, using lumped and distributed elements. The chip size is 0.48mm*0.6mm including pads
Published: 2008

42. Simulation of micro electro-mechanical systems (MEMS) on Grid

Author: Khalil, Fadi, Miegemolle, Bernard, Monteil, Thierry, Aubert, Hervé, Coccetti, Fabio, Plana, Robert, Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Springer, Grid'5000, Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)
Subjects: Hardware_GENERAL, [INFO.INFO-OH]Computer Science [cs]/Other [cs.OH]
Abstract: International audience; The future Micro Electro-Mechanical Systems (MEMS) will involve high complex architectures. The design and the Electro-Magnetic simulation of those components require more and more computer mem- ory and computational time. Grid Computing allows to execute all possi- ble configurations of MEMS simulations. In this article, we consider the case of a phase shifter based on N Radio Frequency (RF) MEMS systems which creates 2N possible configurations. A free open source Transmis- sion Line Matrix (TLM) fullwave Electro-Magnetic solver, called YAT- PAC (Yet Another TLM Package), is used to simulate the MEMS. The extensions of YATPAC Simulation Package for an execution in grid con- text, and especially for the French experimental Grid Computing plat- form Grid'5000, are explained. The execution is done over several sites. A study of performance for deployment of code and data, execution time and recovery of results is commented to show the potential of TLM over a grid.
Published: 2008

43. A New Methodology for RF MEMS Simulation

Author: Achkar Hikmat, Coccetti Fabio, Peyrou David, Pons Patrick, Pennec Fabienne, and Plana Robert
Subjects: Microelectromechanical systems, Materials science, Electronic engineering
Published: 2008

44. Matlab Code to Link and Pilot Softwares Used for MEMS Simulation

Author: Achkar, Hikmat, Peyrou, David, Pennec, Fabienne, Yacine, Karim, Ferrand, André, Pons, Patrick, Sartor, Marc, Plana, Robert, Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Laboratoire de Génie Mécanique de Toulouse (LGMT), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), and Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3)
Subjects: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract: International audience; This paper presents the advances done in the field of simulation and design applied to MEMS. It will be discussed some techniques to link different finite element softwares, especially COMSOL and ANSYS, in order to profit from all the advantages offered by each finite element code. Then, an explication is done on how we piloted ABAQUS using a Matlab routine. In a third and very important section, the use of reverse engineering method is described and applied to RF-MEMS (Radio Frequency-Micro Electro Mechanical System) switches. The applications for each of these methods will be explained.
Published: 2008

45. Conception d'un Amplificateur de Puissance à 24GHz pour Application Radar Automobile

Author: Demirel, Nejdat, Kerhervé, Eric, Pache, Denis, Plana, Robert, IMS, Université de Bordeaux (UB), Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)
Subjects: [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract: International audience; Ces dernières années ont vu croitre les questions de sécurité dans le domaine de l'automobile. Parallèlement, on observe une augmentation drastique de l'utilisation de l'électronique embarquée dans les véhicules. Cette électronique répond à des facteurs de précision, de fiabilité mais aussi de faible cout de production. C'est pourquoi, on cherche à développer des systèmes réalises en technologie BiCMOS SiGe adaptes a ces contraintes. Cet article présente un amplificateur de puissance dédié aux radars automobiles. Il expose la conception et des simulations d'un circuit complètement intégré sur silicium à 24 GHz.
Published: 2008

46. Conception d'un Amplificateur de Puissance à 24GHz pour Application Radar Automobile

Author: Nejdat, Demirel, Kerherve, Eric, Pache, Denis, Belot, Didier, Plana, Robert, Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)
Subjects: Amplificateur de Puissance, 24GHz, Radar Automobile, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract: Ces dernières années ont vu croitre les questions de sécurité dans le domaine de l'automobile. Parallèlement, on observe une augmentation drastique de l'utilisation de l'électronique embarquée dans les véhicules. Cette électronique répond à des facteurs de précision, de fiabilité mais aussi de faible cout de production. C'est pourquoi, on cherche à développer des systèmes réalises en technologie BiCMOS SiGe adaptes a ces contraintes. Cet article présente un amplificateur de puissance dédié aux radars automobiles. Il expose la conception et des simulations d'un circuit complètement intégré sur silicium à 24 GHz.
Published: 2008

47. Design Techniques of mmW Passives Components for 60 & 80 GHz Applications

Author: Aloui, Sofiane, Belot, Didier, Kerherve, Eric, Nejdat, Demirel, Plana, Robert, Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1 (UB)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)
Subjects: 60GHz & 80GHz applications, T-Lines, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Published: 2007

48. VERIFICATION OF CONTACT MODELING WITH COMSOL MULTIPHYSICS SOFTWARE

Author: Pennec, Fabienne, Achkar, Hikmat, Peyrou, David, Plana, Robert, Pons, Patrick, Courtade, Fréderic, Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique (LAAS-TEAM), Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse 1 Capitole (UT1)
Subjects: COMSOL, mechanical contact, Hertz contact, nonlinearity, Augmented Lagrangian method, multiphysic simulation, [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics, penalty factor
Abstract: Contact analysis is of major concern in a lot of applications and addresses often multi-field effects (thermal, electromagnetic effects...). Due to the nonlinearity and difficulty in predicting the behaviour of bodies coming into and go out of contact, the need of software able to simulate a structural contact problem and couple it with other physics is a major stake. The last version 3.3 of COMSOL Multiphysics allows the analysis of multiphysics contact problem and appears attractive. Being new and under development, COMSOL 3.3 needs therefore to be validated in terms of contact modelling. Only the cases of frictionless problem are taken into account. A static contact Hertz model and a model containing a rigid-flexible contact and a flexible-flexible contact are studied and describe the capabilities, advantages, originalities and drawbacks of COMSOL 3.3. A good user interface and the capabilities to couple all physics with facilities make attractive the software. However, contact algorithm implemented in COMSOL doesn't allow the resolution of all contact problems. The more evident problem, like for example the case of a solid compressed on a rigid surface (contact of Hertz) can be solved efficiently with a reduced computational time. A problem that contains an initial gap between two deformable surfaces requires more computational costs and solver fails to find a solution easily. The user has to spend enough time to set up the contact parameters. But it isn't always evident to check these parameters to optimise the accuracy of the solution and the time of resolution. More investments have to be provided to improve the contact algorithms in Comsol and to facilitate the user to choose the contact parameters.
Published: 2007

49. Contact Modeling of DC Contact RF MEMS for Investigation of the Microcontact Degradation Mechanism

Author: Pennec, Fabienne, Peyrou, David, Dhennin, Jérémie, Broué, Adrien, Achkar, Hikmat, Pons, Patrick, Courtade, Frédéric, Plana, Robert, Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, NovaMEMS, Incubateur Midi-Pyrénées-Oseo-Région Midi-Pyrénées-ANRT-Ministère de l'industrie-THALES Security Systems-EPSILON, Centre National d'Études Spatiales [Toulouse] (CNES), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), and Université de Toulouse (UT)
Subjects: [SPI.NANO]Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Abstract: RF MEMS devices have already demonstrated very attractive performances to introduce some intelligence in the front end architectures. The insertion of RF MEMS into real architecture will necessitate reduced actuation voltage, dimensions and a better control of the electrical and electromechanical behavior that will give more importance to surface effects and their understanding and modeling. So far, surface effects were ignored in the analysis, because of the difficulty to generate a rough surface model and also to simplify the model in order to reduced computation times. With the increase of computation capabilities, the topography of the surface can be included in finite element simulations if appropriate simulation methodology is implemented. In order to give an explanation to the microcontact degradation phenomenon, gold DC contact switches are tested on an experimental set up in NOVAMEMS that allows the switch ageing under controlled atmosphere and makes possible the analysis of contact behavior with cycling. A correlation is established between the electromechanical characterizations and finite element simulations. From the surface characterization, we generate the real shape of both rough surfaces that come into contact and to predict the real contact area and size of each contact spots. The obtained results show actually an increase in contact resistance with cycling. However, the variation isn't as large as the experimental measurements. Other failure phenomena have to be taken into account such as organic deposits, contamination or hardening to complete the analysis.
Published: 2007

50. Optimisation d'antennes intégrées millimétriques sur silicium par couplage d'outils et de méthodes d'analyse électromagnétiques

Author: Pinto Ballesteros, Yenny Constanza, Person, Christian, Cathelin, Andreia, Belot, Didier, Gloria, Daniel, Plana, Robert, Département Micro-Ondes (MO), Université européenne de Bretagne - European University of Brittany (UEB)-Télécom Bretagne-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Minatec Grenoble (CEA/ INP Grenoble), France telecom, Division R&D, Crolles (France Télécom) (FT), Équipe MIcro et Nanosystèmes pour les Communications sans fil (LAAS-MINC), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Télécom Bretagne (devenu IMT Atlantique), Ex-Bibliothèque, Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), and Université de Toulouse (UT)
Subjects: [SPI.TRON] Engineering Sciences [physics]/Electronics, ComputingMilieux_MISCELLANEOUS, [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Abstract: International audience; *
Published: 2007

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