Search

We investigated the photoelectrical properties of the heterojunctions p-GaTe – n-InSe fabricated by the method of mechanical contact of GaTe oxidized plate with van der Waals surface of InSe. The AFM-images revealed that there was formed thin oxide dielectric layer of Ga2O3 on the heterointerface p-GaTe – n-InSe. The energy band diagram was constructed. It was established that the p-GaTe – n-InSe heterojunction is photosensitive in the spectral range 0.74 - 1.0 µm. Key words: InSe, GaTe, layered crystals, heterojunction, AFM-images spectral characteristics., Досліджені фотоелектричні властивості гетеропереходів p-GaTe – n-InSe, що сформовані методом механічного контакту окисленої пластини GaTe з ван-дер-ваальсовою поверхнею InSe. За допомогою АСМ-зображень встановлено, що на гетерограниці p-GaTe – n-InSe присутній тонкий діелектричний шар власного оксиду Ga2O3. Побудована енергетична зонна діаграма гетеропереходу. Встановлено, що гетероперехід p-GaTe – n-InSe володіє фоточутливістю в діапазоні 0,74 - 1,0 мкм.Ключові слова: InSe, GaTe, шаруваті кристали, гетеропереходи, АСМ-зображення, спектральні характеристики.