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3 results on '"Acosta-Alba, P."'

1. Study of recrystallization and activation processes in thin and highly doped Silicon-On-Insulator layers by nanosecond Laser Thermal Annealing

Author

Chery, N, Zhang, M, Monflier, Richard, Seine, G, Paillard, V, Poumirol, J, Larrieu, Guilhem, Royet, A, Kerdilès, S, Acosta-Alba, P, Perego, M, Bonafos, Caroline, Cristiano, Fuccio, Nano-Optique et Nanomatériaux pour l'optique (CEMES-NeO), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT-FR 2599), Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Service Instrumentation Conception Caractérisation (LAAS-I2C), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées, Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique (LAAS-MPN), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), ANR-18-CE09-0034,DONNA,Dopage à l'échelle nano(2018), and European Project: 871813,H2020-EU.2.1.1. - INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies - Information and Communication Technologies (ICT) ,MUNDFAB (2020)

Subjects
[PHYS.COND]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]
Abstract

In this work, a thorough study of the phosphorus (P) heavy doping of thin Silicon-On-Insulator (SOI) layers by UV nanosecond Laser Thermal Annealing (LTA) is presented. The melting regimes and the regrowth processes as well as the redistribution and activation of P in

Published
2021

2. Dopant Activation in Ultra-thin SiGeOI and SOI layers characterised by Differential Hall Effect

Author

Daubriac, Richard, Scheid, Emmanuel, Joblot, S., Beneyton, R., Acosta Alba, P, Kerdiles, S., Cristiano, Fuccio, Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique (LAAS-MPN), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées

Subjects
contact resistance, shallow junctions, [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci], Differential Hall Effect, FDSOI
Abstract

International audience; The reduction of the contact resistance RC is one of the most challenging issues related to the miniaturisation of advanced MOSFET architectures,including FDSOI technology (Fully Depleted Silicon-On-Insulator). RC strongly depends on the active dopant concentration at the semiconductor/salicide interface. It is therefore essential that electrical activation at different depths within a doped layer is reliably determined tooptimise the fabrication processes. In this paper, we firstly present a Differential Hall Effect (DHE) method which allows measuring the active dopant concentration profile close to the surface with nm resolution for ultra-shallow doped Si1-xGex and Si layers. Then, we present DHE measurements made on junctions processed with advanced techniques, including nsec LTA and msec DSA anneals.

Published
2018

3. A Differential Hall Effect method with sub-nanometre resolution for active dopant concentration profiling in ultra-thin Si 1-x Ge x and Si doped layers

Author

Daubriac, Richard, Scheid, Emmanuel, Joblot, S., Beneyton, R., Acosta Alba, P, Kerdiles, S., Cristiano, Fuccio, Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique (LAAS-MPN), Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS), Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Université Toulouse Capitole (UT Capitole), Université de Toulouse (UT), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées-Université Toulouse - Jean Jaurès (UT2J)-Université Toulouse 1 Capitole (UT1), and Université Fédérale Toulouse Midi-Pyrénées

Subjects
[PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Abstract

In this paper, we present an enhanced Differential Hall Effect method (DHE) for Si and SiGe ultrathin layers for the investigation of dopant activation in the surface region with sub-nanometre resolution. In the case of SiGe case, which constitutes the most challenging process, we show the reliability of the SC1 chemical solution (NH4OH:H2O2:H2O) thanks to its slow etch rate, stoichiometry conservation and low roughness generation. The reliability of a complete DHE procedure, with an etching step as small as 0.5 nm, is demonstrated on a dedicated 20 nm-thick SiGe teststructure fabricated by CVD and uniformly doped in situ during growth. The developed method is finally applied to the investigation of dopant activation achieved by advanced annealing methods (including millisecond and nanosecond laser anneal) in two material systems: 6 nm-thick SiGeOI and 11 nm-thick SOI. In both cases, DHE is shown to be a unique sensitive characterisation technique for a detailed investigation of dopant activation in ultra-shallow layers, providing sub-nm resolution for both dopant concentration and carrier mobility depth profiles.

Published
2018

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