Search

Проаналізовані колекторні характеристики кремнієвих МДН фотосенсорів з нерівноважним виснаженням. Теоретично і експериментально показано, що такі фотосенсори мають більш високу порогову фоточутливість, ніж фотосенсори з “металургійними” р-n-переходами. Зроблений висновок про можливість використання кремнієвих МДН структур з нерівноважним виснаженням в якості порогових фотосенсорів, а також в якості порогових детекторів ядерних випромінювань., The collector efficiency of silicon MIS photosensitive sensors with a non-equilibrium exhaustion is analyzed. Theoretically and experimentally is shown that such photosensitive sensors have higher threshold sensitivity than photodiodes based on “metallurgical” p-n-junctions. The conclusion about possibility of application silicon MIS structure with a non-equilibrium exhaustion both as threshold photosensitive sensor and as threshold detector of nuclear radiation is made., Проанализированы коллекторные характеристики кремниевых МДП фотосенсоров с неравновесным истощением. Теоретически и экспериментально показано, что такие фотосенсоры имеют более высокую пороговую фоточувствительность, чем фотосенсоры с “металлургическими” р-n-переходами. Сделан вывод о возможности использования кремниевых МДП структур с неравновесным истощением в качестве пороговых фотосенсоров, а также в качестве пороговых детекторов ядерных излучений.