Search

Abstract The Mn valence in thin film La0.7Sr0.3MnO3 was studied as a function of film thickness in the range of 1–16 unit cells with a combination of non-destructive bulk and surface sensitive X-ray absorption spectroscopy techniques. Using a layer-by-layer valence model, it was found that while the bulk averaged valence hovers around its expected value of 3.3, a significant deviation occurs within several unit cells of the surface and interface. These results were supported by first principles calculations. The surface valence increases to up to Mn3.7+, whereas the interface valence reduces down to Mn2.5+. The change in valence from the expected bulk value is consistent with charge redistribution due to the polar discontinuity at the film-substrate interface. The comparison with theory employed here illustrates how this layer-by-layer valence evolves with film thickness and allows for a deeper understanding of the microscopic mechanisms at play in this effect. These results offer insight on how the two-dimensional electron gas is created in thin film oxide alloys and how the magnetic ordering is reduced with dimensionality.

Understanding the nature of competing phases is a key to understanding the superconducting mechanism of unconventional superconductors. Here, the authors demonstrate a three-dimensional charge ordering state which competes with superconductivity in epitaxial YBa2Cu3O7-x thin films grown on La0.7Ca0.3MnO3substrates.

Trong nghiên cứu này, cấu trúc armchair graphene đơn lớp nanoribbons (AGNRs) dưới ảnh hưởng của khuyết và tái cấu trúc tạo thành vòng 5-9 được đưa vào tính toán. Phương pháp gần đúng liên kết mạnh (TB) được sử dụng để khảo sát cấu trúc vùng năng lượng của vật liệu khi không có và có sự xuất hiện của điện trường ngoài. Bên cạnh đó, bài toán nhiệt điện cũng được thực hiện dựa trên phương pháp luận hàm Green. Kết quả khảo sát với M = 15 cho thấy rằng, độ rộng vùng cấm của vật liệu được chia thành hai vùng cấm con nằm quanh mức Fermi. Tùy thuộc vào các vị trí khuyết khác nhau, độ rộng vùng cấm sẽ thay đổi. Đặc biệt, dưới tác động của điện trường song song, độ rộng vùng cấm của vật liệu được điều khiển, dẫn đến sự thay đổi mật độ trạng thái (DOS) và hệ số Seebeck S của vật liệu. Như vậy, sự kết hợp của khuyết và điện trường ngoài mang nhiều tiềm năng để đưa vật liệu graphene hướng đến những ứng dụng trong tương lai.

The efficacy of intravenous thrombolysis and endovascular therapy and their favorable treatment outcomes have been established in clinical trials irrespective of age. Current guidelines do not recommend an age limit in selecting eligible patients for reperfusion treatment as long as other criteria are satisfied. A 103-year-old woman was admitted at our hospital within 1 h of stroke onset secondary to a left internal carotid artery terminus occlusion. On admission, her National Institutes of Health Stroke Scale (NIHSS) score was 30, with a small left thalamic diffusion restriction lesion on MRI. Her medical history included paroxysmal atrial fibrillation, prior myocardial infarction, hypertension, chronic kidney disease, and diabetes mellitus. Her pre-stroke modified Rankin Scale score was 0, and she was fully independent before stroke. Once intravenous thrombolysis was started, the patient successfully underwent mechanical thrombectomy, and thrombolysis in cerebral infarction-3 recanalization was achieved 225 min after symptom onset. She showed dramatic recovery (NIHSS score of 5 after 48 h) and was discharged on day 7 with a modified Rankin Score of 1. To our knowledge, our patient is the second oldest documented patient who successfully underwent bridging therapy for stroke.

Trong nghiên cứu này, phương pháp gần đúng liên kết mạnh (TB) được sử dụng để xây dựng mô hình Hamiltonian tính toán đặc trưng điện tử của hexagonal chromium nitride (h-CrN) cho cấu trúc phẳng và nhấp nhô. Từ kết quả tính toán thu được, đồng thời so sánh với kết quả tính toán từ mô hình tương tự theo phương pháp ab initio trên các cấu trúc khác nhau, bộ tham số cấu trúc cho các tương tác lân cận bậc một của các nguyên tử cấu thành vật liệu được xác định. Ngoài ra, kết quả cũng chỉ ra rằng ở trạng thái phẳng và nhấp nhô, h-CrN thể hiện tính chất kim loại của vật liệu mỏng dạng tổ ong. Tuy nhiên, cấu trúc điện tử vật liệu ở trạng thái nhấp nhô có nhiều thay đổi hơn so với cấu trúc phẳng, dự đoán những thay đổi thú vị về tính chất điện của vật liệu dưới tác động của kích thích bên ngoài cũng như khả năng ứng dụng vào công nghệ spintronic trong tương lai.